二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是 A发射结正偏，集电结正偏 B发射结反偏，集电结反偏 C发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其 A发射结正偏，集电结正偏 8发射结反偏，集电结反偏 C发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅品体管来说其死区电压约为 A0.1V B0.5V C0.7V 4.锗品体管的导通压降约UE为 A0.1V B0.3Y C0.5V 5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管 的B为 A40 B50 C60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能
二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是_ 发射结正偏，集电结正偏 发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_ 发射结正偏，集电结正偏 发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ 0.1V 0.5V 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ 0.1V 0.3V 0.5V 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管 的 β 为_ 40 50 60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_
A越好 B越差 C无变化 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能 高 B低 C一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数 月增大 B减小 C不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UaE A升高 B降低 C不变 10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时， 极的电位最低 A发射极 B基极 C集电极 11.温度升高，晶体管输入特性曲线■ A右移 B左移 C不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线
越好 越差 无变化 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_ 高 低 一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数 _ 增大 减小 不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_ 升高 降低 不变 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_ 极的电位最低。 发射极 基极 集电极 11.温度升高，晶体管输入特性曲线_ 右移 左移 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线_
A上移 B下移 C不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔 A不变 男减小 C增大 12.晶体管共射极电流放大系数B与集电极电流c的关系是 月两者无关 B有关 C无法判断 15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是 A晶体管一定被烧毁 B晶体管的Pc=PcM C晶体管的B一定减小 16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强 A输入电阻 B输出 C电压放大倍数 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为 ANPN型锗管 BPNP型锗管
上移 下移 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_ 不变 减小 增大 12.晶体管共射极电流放大系数 β 与集电极电流 Ic 的关系是_ 两者无关 有关 无法判断 15. 当晶体管的集电极电流 Icm>Ic 时，下列说法正确的是_ 晶体管一定被烧毁 晶体管的 PC=PCM 晶体管的 β 一定减小 16.对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强_ 输入电阻 输出 电压放大倍数 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _ NPN 型锗管 PNP 型锗管
CPNP型硅管 18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管 A处于饱和状态 B放大状态 C截止状态 D已损坏 19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相 位 A同相 B反相 C相差90度 20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底 部被削平的现象，这种失真是 失直 月饱和 B截止 C饱和和截止 21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是 A输入电阻太小 8静态工作点偏低 C静态工作点偏高 22一放大电路如右图所示，当逐渐增大输入电压U的幅度时，输出电压6的 波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应 A减小Re B减小RB
PNP 型硅管 18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _ 处于饱和状态 放大状态 截止状态 已损坏 19 在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相 位_ 同相 反相 相差 90 度 20 在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底 部被削平的现象，这种失真是_ 失真 饱和 截止 饱和和截止 21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是_ 输入电阻太小 静态工作点偏低 静态工作点偏高 22 一放大电路如右图所示，当逐渐增大输入电压 Ui 的幅度时，输出电压 Uo 的 波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应_ 减小 RC 减小 RB
C减小c C 题1.2图 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的 A输出功率 B静态工作点 C交流参数 24.NPN型品体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为 A=4e器-D 男4=1o器-) C-D 25.既能放大电压，也能放大电流的是 放大电路。 A共射极 B共集电极 C共基极 26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 A晶体管的电流放大系数太大
减小 Vcc 题 1.2 图 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_ 输出功率 静态工作点 交流参数 24. NPN 型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为 _ 25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _ 放大电路。 共射极 共集电极 共基极 26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _ 晶体管的电流放大系数太大
B电源电压太高 C晶体管参数随环境温度的变化而变化 27.在放大电路中，直流负反馈可以 A提高晶体管电流放大倍数的稳定性 B提高放大电路的放大倍数 C稳定电路的静态工作点 28.可以放大电压，但不能放大电流的是」 放大电路。 A共射极 B共集电极 C共基极 29.射极输出器无放大 的能力。 月电压 B电流 C功率 30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是一放 大电路。 A共射极 奶共集电极 C共基极 31.与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定■ 月不变 B变大 C变小
电源电压太高 晶体管参数随环境温度的变化而变化 27. 在放大电路中，直流负反馈可以 _ 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 提高放大电路的放大倍数 稳定电路的静态工作点 28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _ 放大电路。 共射极 共集电极 共基极 29. 射极输出器无放大 _ 的能力。 电压 电流 功率 30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _ 放 大电路。 共射极 共集电极 共基极 31. 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_ 不变 变大 变小
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4Y,接入3kQ的负载后输出电压降 为3V,则此电路的输出电阻为 0.5kW B1kW C2kW 33已知右图所示放大电路中的Rs=100k2,Rc1.5k2,ec=12V,晶体管的B=80, BE=0.6V。则可以判定，该品体管处于 +cc A放大状态 B饱和状态 C截止状态 34.在上题中，若晶体管的B降为50，则可以判定， 1该晶体管处于 月放大状态 8饱和状态 C截止状态 2放大电路的动态范围 月放大状态 B饱和状态 C截止状态
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 3kΩ 的负载后输出电压降 为 3V，则此电路的输出电阻为_ 0.5kW 1kW 2kW 33已知右图所示放大电路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，Vcc=12V ,晶体管的β=80， UBE=0.6V。则可以判定，该晶体管处于_ 放大状态 饱和状态 截止状态 34.在上题中，若 晶体管的 β 降为 50，则可以判定， 1 该晶体管处于_ 放大状态 饱和状态 截止状态 2 放大电路的动态范围_ 放大状态 饱和状态 截止状态
3当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现失真。 月饱和 B截止 C饱和和截止 35。在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是多 级放大电路。 A阻容耦合 B变压器耦合 C直接耦合 36,直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相 比，低频响应 月好 B差 C相同 37.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 。多级放大电路。 A阻容耦合 B变压器耦合 C直接耦合 38.若三级放大电路的u1=Au2=30dB,k3=20B,电路将输入信号放大了 倍。 A80 B800 C10000 39.有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20B,R=2k2,R。=3kQ。 现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为
3 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现_失真。 饱和 截止 饱和和 截止 35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _ 多 级放大电路。 阻容耦合 变压器耦合 直接耦合 36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相 比，低频响应_ 好 差 相同 37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 _ 多级放大电路。 阻容耦合 变压器耦合 直接耦合 38. 若三级放大电路的 Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了_ 倍。 80 800 10000 39. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为 20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。 现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 _
40dB B32dB C16dB 40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移， 因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 失其。 A饱和 B截止 C频率 41.放大电路的两种失真分别为失真。 A线性和非线性 B饱和和截止 C幅度和相位 42.直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合）多级放大电路相比，低 频响应 A差 B好 C差不多 43.在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率斤和下限截止频率 频率点处，电压增益比中频区增益下降了3B,亦即在该频率点处的输出电压 是中频区输出电压的 一倍。 A1/2 82 C 44.在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号仍为正弦波，则输出信号 A会产生线性失真
40dB 32dB 16dB 40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移， 因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 _ 失真。 饱和 截止 频率 41.放大电路的两种失真分别为 _ 失真。 线性和非线性 饱和和截止 幅度和相位 42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低 频响应 _ 差 好 差不多 43. 在放大电路幅频响应（波特图)曲线中，在上限截止频率 fH 和下限截止频率 fH 频率点处，电压增益比中频区增益下降了 3dB，亦即在该频率点处的输出电压 是中频区输出电压的 _ 倍。 1/2 44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号 Ui 为正弦波，则输出信号_ 会产生线性失真
B会产生非线性失真 C为正弦波 45.在晶体管组成的三种基本放大电路中， 放大电路的高频特性最好。 A共射极 8共集电极 C共基极 46.对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 A变宽 B变窄 C两者一样 47.多级放大电路的级数愈多则上限频率后 越高B越低C无变化 48.具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 A3dB 6dB C20dB 49.多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 A越大B越小C无变化 50.晶体管的共射截止频率fB,共基截止频率fa及特征频率T三者之间的 大小关系是 a>布>斤8>东>6c斤>人>有 51.己知某晶体管的f=150MHz,Bb=50。当其工作频率为50MHz时，fB≈ A50MHz B30MHz C3MHz
会产生非线性失真 为正弦波 45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_ 放大电路的高频特性最好。 共射极 共集电极 共基极 46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _ 变宽 变窄 两者一样 47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率 fH _ 越高 越低 无变化 48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _ 3dB 6dB 20dB 49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _ 越大 越小 无变化 50. 晶体管的共射截止频率 fβ,共基截止频率 fα 及特征频率 fT 三者之间的 大小关系是 _ 51. 已知某晶体管的 fT=150MHz,βb=50。当其工作频率为 50MHz 时，fβ≈_ 50MHz 30MHz 3MHz