一、半导体二极管及其应用 1.本征半导体中的自由电子浓度空穴浓度 A大于B小于C等于 2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 A温度B材料C掺杂工艺掺杂浓度 3.在摻杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大 A温度B掺杂工艺C掺杂浓度 4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越 A高B低C不变 5.N型半导体 A带正电B带负电C呈中性 6.温度升高N型半导体的电阻率将 A增大B减小C不变 7.当PN结正向偏置时，耗尽层将 A不变B变宽小于C变窄 8当环境温度升高时，二极管的正向电压将 A升高B降低C不变 9.当环境温度升高时，二极管的死向电压将 A升高B降低C不变 10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A增大B减小C不变 1山.二极管的正向电压降一般具有温度系数 A正B负C零 12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和
一、半导体二极管及其应用 1．本征半导体中的自由电子浓度_空穴浓度 大于 小于 等于 2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于_ 温度 材料 掺杂工艺 掺杂浓度 3.在掺杂半导体中，少子的浓度受_的影响很大 温度 掺杂工艺 掺杂浓度 4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越_ 高 低 不变 5.N 型半导体_ 带正电 带负电 呈中性 6.温度升高 N 型半导体的电阻率将_ 增大 减小 不变 7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将_ 不变 变宽小于 变窄 8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 升高 降低 不变 9.当环境温度升高时，二极管的死向电压将_ 升高 降低 不变 10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将_ 增大 减小 不变 11.二极管的正向电压降一般具有_温度系数 正 负 零 12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_和_
AUD,I BIF,Is Cl,UR 13.理想二极管的主要性能指标为 AUb-0,R=0,BUb=0.3V,k=-0CUb=0.5V,k=5 13.稳压管通常工作于，来稳定直流输出电压 月截止区B正向导通区C反向击穿区 12.对于稳定电压为10Ⅳ的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 A升高B降低C不变 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 A增大B减小C不变 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 A势垒电容B扩散电容C无法判断 18.锗二极管的死区电压约为 A0.1VB0.2VC0.3N 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 A0.3VB0.5VC0.7V 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 A大B小C不变 21.二极管的伏安特性可以表示为 ab=1se本-0 B6=1e花
UD,IF IF,IS IF,UR 13.理想二极管的主要性能指标为 _ UD=0,IR=0, UD =0.3V ，IR=0 UD =0.5V ，IR =IS 13.稳压管通常工作于_，来稳定直流输出电压 截止区 正向导通区 反向击穿区 12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 _ 升高 降低 不变 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 _ 增大 减小 不变 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 _ 势垒电容 扩散电容 无法判断 18.锗二极管的死区电压约为 _ 0.1V 0.2V 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 _ 0.3V 0.5V 0.7V 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 _ 大 小 不变 21.二极管的伏安特性可以表示为 _