7.温度对晶体三极管特性和参数的影响 由于半导体材料的热敏性,晶体管的输入特性和输岀特性以及参数都受温度影响。但影 响最显著的参数有 a.IcBo的影响:温度每升高10℃,lcBo大约增加一倍。反之,温度下降,IcBo减小。由于硅 管的Icεo比锗管小得多,所以从绝对值上看,硅管比锗管受温度影响较小。 b.UB的影响:温度变化1℃,UBE大约变化2~2.5mV,并具有负温度系数。若UB不变,温 度升高时,IB将增大 C.β的影响:温度每增加1℃,β增大约为0.5% 1.4场效应管 1.场效应管分类 按结构和控制电场的形式不同,场效应分为结型和绝缘栅型;按工作方式又可分为增强 型和耗尽型。由于结构和工作原理的特点,结型场效应只有耗尽型;按导电沟道掺杂类型不 同可分为N沟道和P沟道 2.场效应的特性曲线与电流方程 (1)电流方程式 结型场效应管的i对us的近似表达式为:iD=l1s(1---)2 N沟道增强型绝缘栅场效应管的i对us的近似表达式为:in=1m0(a-1)2 其中Do是Uas=2U(时的i (2)特性曲线 下图所示分别为N沟道增强型绝缘场效应管的输出特性曲线。它可分成三个工作区域 可变电阻区、恒流区及夹断区,如图中所标注 预夹断轨迹 l 夹断区- 8 - 7.温度对晶体三极管特性和参数的影响 由于半导体材料的热敏性,晶体管的输入特性和输出特性以及参数都受温度影响。但影 响最显著的参数有: a.ICBO的影响:温度每升高10℃, ICBO大约增加一倍。反之,温度下降, ICBO减小。由于硅 管的ICBO比锗管小得多,所以从绝对值上看,硅管比锗管受温度影响较小。 b.UBE的影响:温度变化1℃,UBE大约变化2～2.5mV,并具有负温度系数。若UBE不变,温 度升高时, IB将增大。 c.β的影响:温度每增加1℃, β增大约为0.5%。 1.4 场效应管 1.场效应管分类 按结构和控制电场的形式不同,场效应分为结型和绝缘栅型；按工作方式又可分为增强 型和耗尽型。由于结构和工作原理的特点,结型场效应只有耗尽型；按导电沟道掺杂类型不 同可分为N沟道和P沟道。 2.场效应的特性曲线与电流方程 （1）电流方程式 结型场效应管的iD对uGS的近似表达式为: 2 ( ) (1 ) GS off GS D DSS u u i  I  N沟道增强型绝缘栅场效应管的iD对uGS的近似表达式为: 2 ( )  ( 1) GS th GS D DO u u i I 其中IDO是UGS=2UGS(th)时的iD。 （2）特性曲线 下图所示分别为N沟道增强型绝缘场效应管的输出特性曲线。它可分成三个工作区域: 可变电阻区、恒流区及夹断区,如图中所标注