图1.3.2晶体管的输出特性曲线 a.饱和区一一曲线近乎垂直上升部分与纵轴间的区域。在这一区域内,对应于不同IB值 的输出特性曲线几乎重合,ic不受其控制,只随UcE增大而增加。 b.截止区——lB=0的那条曲线与横轴间的区域。在这一区域内,ic几乎为零。 c.放大区一一介于饱和区和截止区之间的区域。在这一区域内,IC主要受lB的控制,由 于基区调宽效应影响,当IB一定,而Ucε增大时,Ic略有增加 上述三个区,分别对应于晶体管的饱和、截止、放大三种工作状态 5.三极管的三种工作状态 要保证三极管工作在放大状态,则应满足:发射结正向偏置,集电结反向偏置。或者说, 极管的三个电极的电压应满足 对NPN管:Uc>UB>UE 对PNP管:Uc<UB<Ug 由于硅管和绪的特性有所差异,在放大状态时基极与发射极间的压降UBE数值不同, 工程估算中,认为错管|UBE|=0.2V,不同的三极管导通电压Uon也不同,常近似为Uon为 0.5V(硅管),或Uon为0.IV(错管)。 三极管除工作在放大状态之外,还有饱和与截止工作状态,这两个工作状态主要在数字 电路中作开关使用。如果发射结和集电结均正偏置,则三极管工作在饱和状态,如果发射结 电压小于导通电压,则三极管工作在截止状态。根据基极电流I的大小,可使晶体管工作在 三个不同的区域:放大、饱和、截止。 6.主要工作参数 a.直流参数:有共基极直流电流放大系数a;共射极直流电流放大系数β,极间反向电 流:集电极一一基极间反向饱和电流IcBo,集电极一一发射极间反向饱和电流(也称穿透电 EOo b.交流参数:有共基极交流电流放大系数α和共射极交流电流放大系数β c.频率参数:共射极截止频率∫,特征频率f。 d.极限参数:有集电极最大允许电流LM;集电极最大允许功率耗散PcM; e.击穿电压:U1BCB、U(BCEs、U(BCBD、U(sB°- 7 - 图1.3.2 晶体管的输出特性曲线 a.饱和区——曲线近乎垂直上升部分与纵轴间的区域。在这一区域内,对应于不同IB值 的输出特性曲线几乎重合,ic不受其控制,只随UCE增大而增加。 b.截止区——IB=0的那条曲线与横轴间的区域。在这一区域内,ic几乎为零。 c.放大区——介于饱和区和截止区之间的区域。在这一区域内, IC主要受IB的控制,由 于基区调宽效应影响,当IB一定,而UCE增大时,Ic略有增加。 上述三个区,分别对应于晶体管的饱和、截止、放大三种工作状态。 5.三极管的三种工作状态 要保证三极管工作在放大状态,则应满足:发射结正向偏置,集电结反向偏置。或者说, 三极管的三个电极的电压应满足: 对NPN管:UC  UB  UE 对PNP管:UC  UB  UE 由于硅管和绪的特性有所差异,在放大状态时基极与发射极间的压降|UBE|数值不同, 工程估算中,认为错管|UBE|=0.2V,不同的三极管导通电压Uon也不同,常近似为Uon为 0.5V(硅管),或Uon为0.1V(错管)。 三极管除工作在放大状态之外,还有饱和与截止工作状态,这两个工作状态主要在数字 电路中作开关使用。如果发射结和集电结均正偏置,则三极管工作在饱和状态,如果发射结 电压小于导通电压,则三极管工作在截止状态。根据基极电流IB的大小,可使晶体管工作在 三个不同的区域:放大、饱和、截止。 6.主要工作参数 a.直流参数:有共基极直流电流放大系数 ；共射极直流电流放大系数  ，极间反向电 流:集电极——基极间反向饱和电流ICBO,集电极——发射极间反向饱和电流(也称穿透电 流)ICEO。 b.交流参数:有共基极交流电流放大系数α和共射极交流电流放大系数β c.频率参数:共射极截止频率  f ,特征频率 Tf 。 d.极限参数:有集电极最大允许电流ICM；集电极最大允许功率耗散PCM； e.击穿电压:U(BR)CBO 、U(BR)CES 、U(BR)CEO 、U(BR)EBO