b.发射结和集电结均为正向偏置一一饱和状态; C.发射结反向偏置、集电结反向偏置一一截止状态。 3.放大原理 当晶体管发射结外加正向偏置电压、集电结外加反向偏置电压时,若再外加交变信号, 使E-B极间电压发生变化,这时,各电极的电流均有变化,分别是△i,Ai。和Min,它们的正、 负符号与△U符号一致,且Ai必远远大于△a。因此,晶体管可以靠外施发射结电压的改 变,改变AB,MB的变化又会引起Mc的很大变化,如果让Ac在一个电阻产生电压降,就可 获得比控制电压大得多的电压 4.伏安特性 共射极输入特性表达式为 iB=f(uBE )I cE一定 图1.3.1晶体管的共射输入特性曲线 UCE从零增大到约1V,曲线逐渐右移。UCE>lV后,曲线几乎不再移动。输入特性形状类似 于二极管的正向特性 共射输出特性表达式为tc=f(xcE),定 输出特性曲线如下图(图1.3.2)所示。输出特性曲线把晶体管分为三个工作区: 饱和区 截止区- 6 - b.发射结和集电结均为正向偏置——饱和状态; c.发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态。 3.放大原理 当晶体管发射结外加正向偏置电压、集电结外加反向偏置电压时,若再外加交变信号, 使E-B极间电压发生变化,这时,各电极的电流均有变化,分别是 E i , B i 和 C i ,它们的正、 负符号与UBE 符号一致,且 C i 必远远大于 B i 。因此,晶体管可以靠外施发射结电压的改 变,改变 B i , B i 的变化又会引起 C i 的很大变化,如果让 C i 在一个电阻产生电压降,就可 获得比控制电压大得多的电压。 4.伏安特性 共射极输入特性表达式为 B BE uCE一定 i  f (u ) 图1.3.1 晶体管的共射输入特性曲线 UCE从零增大到约1V,曲线逐渐右移。UCE>1V后,曲线几乎不再移动。输入特性形状类似 于二极管的正向特性。 共射输出特性表达式为 C CE I B一定 i  f (u ) 输出特性曲线如下图(图1.3.2)所示。输出特性曲线把晶体管分为三个工作区：