不确定度≤1.6nm(40mm)。项目完成时通过可靠性测试和第三 方异地测试，平均故障间隔时间≥3000小时，技术就绪度不低于 8级；至少应用于2个领城或行业。明确发明专利、标准和软件 著作权等知识产权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能力， 经用户试用，满足用户使用要求。 1.10光电集成电路及器件参数综合测试仪 研究内容：针对集成硅光芯片、激光器、探测器、光纤无源 器件等光电器件测试需求，突破复杂网络多参数自动测量与提取、 网络参数误差校准、自动多模式化集散控制、高精密自动位移测 量台等关键技术，开发具有自主知识产权、质量稳定可靠、核心 部件国产化的集成硅光在片综合参数测试仪，开发相关软件和数 据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，实现在集成光 电子器件、高速光纤通信等领城的应用。 考核指标：测试中心波长1310nm±10nm和1550nm±10nm; 最小探测光功率≤-8OdBm;光输出功率动态范围>70dB:偏振损 耗测量范围≥30dB;测量频率范围>10MHz~110GHz;光电频率 响应动态范围≥30dB:最小可测频率响应≤40dB:最小分析中 频带宽<1kHz;测量电电测量、光电测量、电光测量、光光测量 等模式。项目完成时通过可靠性测试和第三方异地测试，平均故 障问隔时问>3000小时，技术就绪度不低于8级；至少应用于2 个领域或行业。明确发明专利，标准和软件著作权等知识产权数 量，具有自主知识产权：形成批量生产能力，经用户试用，满足 -523-首都医科大学 A00089 — 523 — 不确定度≤1.6nm（40mm）。项目完成时通过可靠性测试和第三 方异地测试，平均故障间隔时间≥3000 小时，技术就绪度不低于 8 级；至少应用于 2 个领域或行业。明确发明专利、标准和软件 著作权等知识产权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能力， 经用户试用，满足用户使用要求。 1.10 光电集成电路及器件参数综合测试仪 研究内容：针对集成硅光芯片、激光器、探测器、光纤无源 器件等光电器件测试需求，突破复杂网络多参数自动测量与提取、 网络参数误差校准、自动多模式化集散控制、高精密自动位移测 量台等关键技术，开发具有自主知识产权、质量稳定可靠、核心 部件国产化的集成硅光在片综合参数测试仪，开发相关软件和数 据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，实现在集成光 电子器件、高速光纤通信等领域的应用。 考核指标：测试中心波长 1310nm±10nm 和 1550nm±10nm； 最小探测光功率≤-80dBm；光输出功率动态范围≥70dB；偏振损 耗测量范围≥30dB；测量频率范围≥10MHz~110GHz；光电频率 响应动态范围≥30dB；最小可测频率响应≤-40dB；最小分析中 频带宽≤1kHz；测量电电测量、光电测量、电光测量、光光测量 等模式。项目完成时通过可靠性测试和第三方异地测试，平均故 障间隔时间≥3000 小时，技术就绪度不低于 8 级；至少应用于 2 个领域或行业。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数 量，具有自主知识产权；形成批量生产能力，经用户试用，满足