第一章常用半导体器件 本章重点难点 重点:是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要 参数。因此,讲述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特 性,应引导学生不要将注意力过多放在管子内部,而以能理解外特性为度。 难点:半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和 场效应管的工作原理是学习的难点 、知识结构 1.半导体 (1)本征半导体电子数等于空穴数 (2)杂质半导体 P型半导体多子:空穴 N型半导体多子:电子 电子空穴载流子的运动形成了电流 电场作用下产生漂移电流 浓度梯度产生扩散电流 2FN结 (1)原理 扩散漂移的平衡→空间电荷势垒区 (2)结构模型 正偏:电流大,电阻小,正向导通 反偏:电流小,电阻大,反向截止 击穿:雪崩击穿和齐纳击穿 电流方程:对数模型 3半导体器件 (1)晶体管 NPN型PNP型- 1 - 第一章 常用半导体器件 一、本章重点难点 重点：是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要 参数。因此，讲述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特 性，应引导学生不要将注意力过多放在管子内部，而以能理解外特性为度。 难点：半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和 场效应管的工作原理是学习的难点。 二、知识结构 1.半导体 （1）本征半导体 电子数等于空穴数 （2）杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 N型半导体 多子：电子 电子空穴载流子的运动形成了电流 电场作用下产生漂移电流 浓度梯度产生扩散电流 2.PN结 （1）原理 扩散漂移的平衡→空间电荷势垒区 （2）结构模型 正偏：电流大，电阻小，正向导通 反偏：电流小，电阻大，反向截止 击穿：雪崩击穿和齐纳击穿 电流方程：对数模型 3.半导体器件 （1）晶体管 NPN型 PNP型