(2)场效应管 结型场效应管→N沟道和P沟道 绝缘栅型场效应管→(N沟道和P沟道)増强型和(N沟道和P沟道)耗尽型 三、本章知识点总结 1.1半导体基础知识 1.本征半导体 本征半导体是纯净的半导体晶体。常用的半导体材料绪和硅均是四价元素,当它们组 成晶体时,每个原子与周围四个原子组成共价键。 在绝对温度0K(-273℃)时,本征半导体中的电子受原子核的束缚,故该半导体不存在 能导电的粒子,从而呈现绝缘体的性能。温度増加,电子获能,有少数电子获能较多,可以摆 脱原子核的束缚,形成带负电的自由电子和带正电的空穴,它们在电场作用下均作定向运动, 所以把自由电子和空穴统称为载流子,载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动,形成 的电流称为漂移电流。显然,本征半导体中自由电子数均等于空穴数,即 ni= pi 产生自由电子和空穴对的同时,部分电子也失去能量返回共价键处,使自由电子和空穴 对消失,我们称此过程为载流子的复合。在一定的温度下,载流子处于动态平衡状态,即每 时刻产生的载流子数和复合的载流子数相等,载流子数始终等于某个常数。温度增加,载流 子数上升,其导电能力也上升。 需要指出的是,空穴导电是束缚电子接力运动的结果,其导电能力低于自由电子。 2.杂质半导体 在本征半导体中可人为有控制地掺入少量地特定杂质,这种掺杂半导体称为杂质半导 体 在本征半导体中掺入少量的五价元素(又称为施主杂质),形成N型半导体。在室温下杂 质基本电离,形成自由电子和不参与导电的正离子。与此同时,N型半导体中自由电子是多数 载流子,空穴称为少数载流子,即n1>p 同理,在本征半导体中掺入三价元素(又称为受主杂质),形成P型半导体。P型半导体中 多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,即n1<P1- 2 - （2）场效应管 结型场效应管→N沟道和P沟道 绝缘栅型场效应管→（N沟道和P沟道）增强型和（N沟道和P沟道）耗尽型 三、本章知识点总结 1.1半导体基础知识 1.本征半导体 本征半导体是纯净的半导体晶体。常用的半导体材料绪和硅均是四价元素,当它们组 成晶体时,每个原子与周围四个原子组成共价键。 在绝对温度0K(-273℃)时,本征半导体中的电子受原子核的束缚,故该半导体不存在 能导电的粒子,从而呈现绝缘体的性能。温度增加,电子获能,有少数电子获能较多,可以摆 脱原子核的束缚,形成带负电的自由电子和带正电的空穴,它们在电场作用下均作定向运动, 所以把自由电子和空穴统称为载流子,载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动,形成 的电流称为漂移电流。显然,本征半导体中自由电子数均等于空穴数,即 i i n  p 产生自由电子和空穴对的同时,部分电子也失去能量返回共价键处,使自由电子和空穴 对消失,我们称此过程为载流子的复合。在一定的温度下,载流子处于动态平衡状态,即每一 时刻产生的载流子数和复合的载流子数相等,载流子数始终等于某个常数。温度增加,载流 子数上升,其导电能力也上升。 需要指出的是,空穴导电是束缚电子接力运动的结果,其导电能力低于自由电子。 2.杂质半导体 在本征半导体中可人为有控制地掺入少量地特定杂质,这种掺杂半导体称为杂质半导 体。 在本征半导体中掺入少量的五价元素(又称为施主杂质),形成N型半导体。在室温下杂 质基本电离,形成自由电子和不参与导电的正离子。与此同时,N型半导体中自由电子是多数 载流子,空穴称为少数载流子,即 i i n  p 。 同理,在本征半导体中掺入三价元素(又称为受主杂质),形成P型半导体。P型半导体中 多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,即 i i n  p