Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 其中e为空穴发射率,可以表示为: =a2T1/2 α2是一个与温度无关的常量,使用角标2是为了与前面等效电路 模型中的α区别。 样品总的电容为肖特基势垒电容和量子阱电容并联: C=C+c 忽略样品其它的缺陷深能级,肖特基势垒漏电流较小时,样品的 总电导就是量子阱的电导: G=G 由于Cw和Gw中的ep随温度变化,电容C在温度升高过程中出现一 个升高的台阶,电导G则会从零升高到一个峰值,最后降为零。由于 lim ep+00w- lim 故C在高温和低温情况相差β。 G在Tm温度时达到峰值Cmx=B,此时ep=0=2mf,交变测 试小信号频率与T满足关系 aT 1/2 2丌 在得到了多个频率测试的导纳谱之后,根据上式可以将n一对 -作线性拟合,其斜率即可推出激活能Ea。这就是多频测试法 由之前得到的G与Gw关系,Gmax与B关系,还有在Tm温度下ep与 0关系,代入G表达式可以解出 1/2 GIntroduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 11 / 20 其中e 为空穴发射率，可以表示为： e = α T ⁄ ∙ e α 是一个与温度无关的常量，使用角标 2 是为了与前面等效电路 模型中的α区别。 样品总的电容为肖特基势垒电容和量子阱电容并联： C = C + C 忽略样品其它的缺陷深能级，肖特基势垒漏电流较小时，样品的 总电导就是量子阱的电导： G = G 由于C 和G 中的e 随温度变化，电容C在温度升高过程中出现一 个升高的台阶，电导G则会从零升高到一个峰值，最后降为零。由于 lim → C − lim → C = lim → C − lim → C = β 故C在高温和低温情况相差β。 G在T 温度时达到峰值G = ，此时e = ω = 2π ，交变测 试小信号频率与T 满足关系： = α T ⁄ 2π ∙ e 在得到了多个频率 测试的导纳谱之后，根据上式可以将ln ⁄ 对 作线性拟合，其斜率即可推出激活能E 。这就是多频测试法。 由之前得到的G与G 关系， G 与β关系，还有在T 温度下e 与 ω关系，代入G 表达式可以解出： e = ω G G ± G G − 1 ⁄