Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 其中T<Tm时取负号,T>Tm时取正号。直接取一个频率下的 条导纳谱线中的数据,得到若干温度T下的ep根据ep表达式将n 对三作线性拟合,由其斜率可推出激活能Ea。这就是单频测试法。 样品结构与测量条件 对于多量子阱,前面已经讨论过:如果势阱的间距较大,各势阱 没有耦合,可以看作一些量子限制效应明显的单阱依次排列:如果势 阱的距离很小,波函数严重重叠,各势阱相互耦合,此时材料的量子 限制效应减弱。那么多量子阱只有在间距不是太小时才能在测量中分 辨多个量子阱的现象:在CV曲线中可以看到多平台,在导纳谱中可 以看到多个峰。导纳谱的不同峰对应不同的势阱能级的载流子发射与 俘获。 量子点结构在纵向仍然对载流子有量子阱类似的量子限制效应, 因此采用同样的测试方法时,与量子阱有类似的规律与结论。 测量时加上的直流偏压可以引起势垒区边界的移动,而改变量子 阱内的载流子浓度。但是量子阱的电导是由其中载流子浓度的变化率 决定的,而与浓度的绝对值无直接关系。但是当直流偏压过大可能使 势垒区扩散到了样品衬底中,这时量子阱及其周围部分都完全耗尽, 显然不可能表现出交流电导性质。这种情况下,CV曲线会表现出电 容迅速下降。 仪器装置 本实验采用特别设计定制的铜质样品架装置,利用液氮作为低温 12/20Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 12 / 20 其中T < T 时取负号，T > T 时取正号。直接取一个频率下的一 条导纳谱线中的数据，得到若干温度 T 下的e 。根据e 表达式将ln ⁄ 对 作线性拟合，由其斜率可推出激活能E 。这就是单频测试法。 样品结构与测量条件 对于多量子阱，前面已经讨论过：如果势阱的间距较大，各势阱 没有耦合，可以看作一些量子限制效应明显的单阱依次排列；如果势 阱的距离很小，波函数严重重叠，各势阱相互耦合，此时材料的量子 限制效应减弱。那么多量子阱只有在间距不是太小时才能在测量中分 辨多个量子阱的现象：在 C-V 曲线中可以看到多平台，在导纳谱中可 以看到多个峰。导纳谱的不同峰对应不同的势阱能级的载流子发射与 俘获。 量子点结构在纵向仍然对载流子有量子阱类似的量子限制效应， 因此采用同样的测试方法时，与量子阱有类似的规律与结论。 测量时加上的直流偏压可以引起势垒区边界的移动，而改变量子 阱内的载流子浓度。但是量子阱的电导是由其中载流子浓度的变化率 决定的，而与浓度的绝对值无直接关系。但是当直流偏压过大可能使 势垒区扩散到了样品衬底中，这时量子阱及其周围部分都完全耗尽， 显然不可能表现出交流电导性质。这种情况下，C-V 曲线会表现出电 容迅速下降。 仪器装置 本实验采用特别设计定制的铜质样品架装置，利用液氮作为低温