《枋料物翟导纶》习题解谷 第一章材料的电学 1解: 0.05eV 查S的E=12eV,AED=E-ED 0.29eV ED-EF=EC-E (EF-E) Egl. 12eV E-E 0.29-0.05=0.22e N nD=ND·f(ED)= 1+-e(E-E)k 0.22×16×10 1+-exp 1.38×10-23×3 =406×101/cm 2解: n=ND=1.5×101/cm3(多子) n《Np:poND 10°/cm3(少子 3解: ND(NA∴补偿后P型半导体 又∷N较少且T在室温,杂质几乎完全电离 p=NA-ND=1.1×106-9×103=2×103/cm3 n2(13×10°)2 =845×104/ p2×10 对于P型半导体,有EF-Ey=kTh N取10×1019/cm3,N,取2×105/cm 代入可得E-Ey=353×10-20J=022eV 4解 低温区,忽略本征激发,仅考虑杂质电离有no=nb= 2N 1+( 令nb≥0.9N→ND(1.32×1018/cm3 则有ND(1.32×108/cm时可保持强电离。《材料物理导论》 习题解答 第一章 材料的电学 EC 0.29eV 0.05eV ED EF Ei EV 1 1 3 2 3 1 9 1 5 ( ) / 4.06 10 / ) 1.38 10 300 0.22 1.6 10 exp( 2 1 1 10 2 1 1 ( ) 0.29 0.05 0.22 2 1.12 ( ) 1.12 , 1. cm e N n N f E E E eV E E E E E E E Si E eV E E E E E kT D D D D D F D F c i D F i g D c D D F =      + = + =  =  − = − = − = − −  − − =  = −  − − − 查 的 解：      = =  = =      少子 。 多子 ； 解： 1.13 10 / ( ) 1.5 10 / ( ) 2. 9 3 2 0 15 3 0 cm N n p n N cm n N D i D  i D E E 3.53 10 J 0.22eV N 1.0 10 / cm N 2 10 / cm N N P E E kTln 8.45 10 / cm 2 10 (1.3 10 ) p n n p N N 1.1 10 9 10 2 10 / cm N T N N , P 3. 2 0 F V 1 5 3 A 1 9 3 V A V F V 4 3 1 5 2 1 0 2 i 1 6 1 5 1 5 3 A D D A − =  =   − =      =    = = = − =  −  =       代入可得 − 取 ， 取 对于 型半导体，有 又 较少且 在室温， 杂质几乎完全电离 补偿后 型半导体 解：   则有 时可保持强电离。 令 低温区，忽略本征激发，仅考虑杂质电离有 解： 18 3 D 18 3 D D D E / kT 1/ 2 C D D 0 D N 1.32 10 / cm n 0.9N N 1.32 10 / cm e ) N 8N 1 ( 2N n n 4. D       +  = =  +  + Eg=1.12eV