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集成电路电容结构 大家知道,一个简单的电容器是由两 个分立的导电层被介质(绝缘)材料 隔离开而形成的。微芯片制造中介质 材料通常是二氧化硅(SO2),平面型 电容器的导电层可由金属薄层、掺杂 的多晶硅,或者衬底的扩散区形成 通常衬底上的电容器由4钟基本工艺组 成(见下图)。 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 集成电路电容结构 • 大家知道,一个简单的电容器是由两 个分立的导电层被介质(绝缘)材料 隔离开而形成的。微芯片制造中介质 材料通常是二氧化硅(SiO2),平面型 电容器的导电层可由金属薄层、掺杂 的多晶硅,或者衬底的扩散区形成。 通常衬底上的电容器由4钟基本工艺组 成(见下图)
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