探测器中的噪声 半导体探测器是反向偏置的ⅨN结,其中存在着三种噪声源。 并联电阻R的热噪声,R是耗尽层或补偿层的电阻 串联电阻R的热噪声,R为探测器非灵敏区的材料体电阻 与引线电阻之和 ●探测器漏电流lD的散粒噪声 R Rp 对于面垒型探测器,R约为108-1092,在低温下工作的PI-N 探测器,R可达1012Ω或更高。通常R比前置放大器或探测器 的偏置电阻大很多,因此,R及其热噪声可以忽略。 串联电阻R的影响虽然比R大,但是对性能良好的探测器来说 R也可忽略探测器中的噪声 半导体探测器是反向偏置的PN结，其中存在着三种噪声源。 •并联电阻Rp的热噪声，Rp是耗尽层或补偿层的电阻 •串联电阻Rs的热噪声，Rs为探测器非灵敏区的材料体电阻 与引线电阻之和 •探测器漏电流ID的散粒噪声 对于面垒型探测器，Rp约为108 -109Ω，在低温下工作的P-I-N 探测器， Rp可达1012Ω或更高。通常Rp比前置放大器或探测器 的偏置电阻大很多，因此， Rp及其热噪声可以忽略。 串联电阻Rs的影响虽然比Rp大，但是对性能良好的探测器来说 Rs也可忽略。 iD CD Rp vo (t) Rs