探测器中的漏电流噪声 半导体探测器的漏电流主要由三部分组成: 结周围产生的漏电流:如半导体表面吸附原子后形成 的表面电荷会引起漏电流,这种电流产生显著的低频噪声 但是,通过表面纯化和采用保护环结构,这种噪声可大大降低。 结区内因热激发产生的电子空穴对所造成的反向电流;散粒 是探测器的反向漏电流。温度升高,J增加,噪声也随之增大 因此,低温运用可以降低探测器的噪声。探测器中的漏电流噪声 半导体探测器的漏电流主要由三部分组成： •结周围产生的漏电流：如半导体表面吸附原子后形成 的表面电荷会引起漏电流，这种电流产生显著的低频噪声。 但是，通过表面纯化和采用保护环结构，这种噪声可大大降低。 •P区和N区少数载流子向结区扩散而形成的反向电流 •结区内因热激发产生的电子—空穴对所造成的反向电流 ID是探测器的反向漏电流。温度升高，ID增加，噪声也随之增大。 因此，低温运用可以降低探测器的噪声。 散粒 噪声