第一级放大器的噪声 第一级放大器:噪声性能优越的结型场效应管(JFET Junction Field Effect Transistor) 耗尽层 D D N型沟道 S S S (b) 图1.4I结型场效应管 (a)N沟道管结构(b)N沟道管符号(c)P沟道管符号 通过扩散或其它工艺,在一块N型(或P型)半导体材料的两边各做一个高杂质浓 度的P型区(或N型区),把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅 极(G),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(S)和漏极(D) 中的Nt 士已由边玩 摘自《模拟电子技术基础》(第三版),华成英主编,高等教育出版社,2001第一级放大器的噪声 第一级放大器：噪声性能优越的结型场效应管（JFET： Junction Field Effect Transistor） 通过扩散或其它工艺，在一块N型(或P型)半导体材料的两边各做一个高杂质浓 度的P型区(或N型区)，把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅 极(G)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(S)和漏极(D) 。中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管 子称为 摘自《N模拟电子技术基础 沟道(或P沟道)结型场效应管 》（第三版），华成英主编，高等教育出版社， 。 2001