一、型半导体：在晶体中自由电子浓度远大于空穴浓度的 杂质半导体。 特点：与本征激发产生的载流子浓度相比，N型半导体中 自由电子浓度很大，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增 大，空穴浓度反而更小，因此在型半导体中将自由电子称为 多数载流子，简称多子，空穴称为少子，并将五价元素称为施 主杂质。 多余的自由电子 N型半导体结构示意图N型半导体结构示意图 一、N型半导体：在晶体中自由电子浓度远大于空穴浓度的 杂质 半导体。 特点： 与本征激发产生的载流子浓度相比，N型半导体中 自由电子浓度很大，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增 大，空穴浓度反而更小，因此在N型半导体中将自由电子称为 多数载流子，简称多子，空穴称为少子，并将五价元素称为施 主杂质。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 多余的自由电子 +5