二、P型半导体：在晶体中空穴浓度远大于自由电子浓度的 杂质半导体。 特点：与本征激发产生的载流子浓度相比，P型半导体中 空穴浓度很大，而自由电子与空穴相遇而复合的机会增大， 自由电子浓度反而更小。因此，在P型半导体中将空穴称为 多数载流子，简称多子，自由电子称为少子，并将三价元素 称为受主杂质。 P型半导体结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空 +3 穴 P型半导体结构示意图 二、P型半导体：在晶体中空穴浓度远大于自由电子浓度的 杂质 半导体。 特点：与本征激发产生的载流子浓度相比，P型半导体中 空穴浓度很大，而自由电子与空穴相遇而复合的机会增大， 自由电子浓度反而更小。因此，在P型半导体中将空穴称为 多数载流子，简称多子，自由电子称为少子，并将三价元素 称为受主杂质