Noise Margins Propagation Delays 门电路 ●噪声容限的定义 ◆延迟时间 ●饱和区、微止区遇出B 平转换 ◆改进—快速逻辑电路 ●饱和区、截止区内输出 ●传播延迟时间 电压无显著变花 5V TTL Fami lie 门电路 减大尺寸对权暴件的影响A6 ◆抗深饱和:SBD开关速度高 级 ◆减少尺寸对双极器件速度改瞢影响甚微 ◆74Vs74sVs74LS系列 ●门延迟由C决定,为提高速度应增加电流井减小电容 ●实际上,目前电流已经到了封装工艺所允许的最大值 74Ls00 (塑料DP封装大约是0.1-0.15A)增加电流 74s00 另一途径是通过减少尺寸来减少电容,但器件必需有 个最小尺寸来支撑其流过的电流。这个最小尺寸决 定了电容的最小值,这就是所谓速度一功耗积限制 基于该限制,若进一步减少器件尺寸—电容会减少 旦电流也必须减少。由于电容减少和电流增大相互矛 盾,导致了双极TTL电路在很长时间里改善甚微 快遠 Bipolar辽樨电路 26TL三态门 ◆改进措施 ◆TL 大规模通用器件、AS|C ●EN=1,开关ON,恒等门(0和1两状态) 低电压、低摆幅 ●EN=0,开关OFF,输出高阻 ●临界饱和、浅微止 ●大电流、大功耗 示例 ●ECL件( Emitter-Coupled Logic)或cML(curr Mode Logic) ECL 10K Family, ECL 100K Family ●PEcL 1010 Noise Margins & Propagation Delays z噪声容限的定义 ` VOH-VON ` VOL-VOFF z传播延迟时间 ` tP ` tPLH，tPHL VOH VOL VON VOFF VCC 5V TTL Families 门电路 ‹ 延迟时间 z 饱和区、截止区退出 z 电平转换 ‹ 改进——快速逻辑电路 z 饱和区、截止区内输出 电压无显著变花 z 电平转换加快 A B F VCC T1 T2 D3 T4 T5 R1 R2 R3 R4 门电路 ‹ 抗深饱和：SBD开关速度高3-4个量级 ‹ 74 Vs 74S Vs 74LS系列 7400 T 74S00 74LS00 减少尺寸对双极器件的影响A6 ‹ 减少尺寸对双极器件速度改善影响甚微 z 门延迟由C/I决定，为提高速度应增加电流并减小电容 z 实际上，目前电流已经到了封装工艺所允许的最大值 (塑料DIP封装大约是0.1-0.15A)——增加电流不可能 z 另一途径是通过减少尺寸来减少电容, 但器件必需有 一个最小尺寸来支撑其流过的电流。这个最小尺寸决 定了电容的最小值，这就是所谓速度—功耗积限制 z 基于该限制，若进一步减少器件尺寸——电容会减少 但电流也必须减少。由于电容减少和电流增大相互矛 盾，导致了双极TTL电路在很长时间里改善甚微 快速Bipolar逻辑电路 ‹ 改进措施 z 大规模通用器件、ASIC z 低电压、低摆幅 z 临界饱和、浅截止 z 大电流、大功耗 ‹ 示例 z ECL器件(Emitter-Coupled Logic)或CML(Current￾Mode Logic) ` ECL 10K Family, ECL 100K Family z PECL 2.6 TTL三态门 ‹ TTL zEN=1，开关ON，恒等门(0和1两状态) zEN=0，开关OFF，输出高阻 EN A F VCC T1 T2 1 & & A EN EN F A EN EN F