(dP沟耗尽 S D N-Si lds(-) 电阻负载反相器(E/R) 如图为E/R反相器,若输入V足够低时,使驱动管截止,则输出的电平为高电平:Vm=Vd 当输入电压V=Vd时,输出低电平:V=(Rom(Ran+R)×Ⅴd 其中R。n为M的导通电阻。为了使V足够低,要求Ron与R1应有合适的比例。因次 /R反相器为有比反相器 Vdd E/R反相器 E/E反相器 二、增强型负载反相器(E/E) 如图为E/E反相器,将负载管的栅极、漏极短接,其漏端始终处于夹断状态,故M 工作在饱和区,这类反相器又称为饱和EE反相器。 当V为低电平时,M截止,反相器输出高电平比Vs低一个开启电压。由于M管的 漏端已经夹断,当V。=V山s-Vu时,源端也夹断,M截止,所以:Vh=VⅤs 当V为高电平时,Vo的值由下式决定: IFl Bi(vdd-Vtl-Vo1)2= Be[2 (vi-Vte)-VollVol(d)P 沟耗尽: 一、电阻负载反相器（E/R） 如图为 E/R 反相器，若输入 Vi 足够低时，使驱动管截止，则输出的电平为高电平：Voh=Vdd 当输入电压 Vi=Vdd 时，输出低电平：Vol=(Ron/(Ron+Rl))×Vdd 其中 Ron 为 Me的导通电阻。为了使 Vol 足够低，要求 Ron与 Rl 应有合适的比例。因次， E/R 反相器为有比反相器。 二、增强型负载反相器（E/E） 如图为 E/E 反相器，将负载管的栅极、漏极短接，其漏端始终处于夹断状态，故 Ml 工作在饱和区，这类反相器又称为饱和 E/E 反相器。 当 Vi 为低电平时，Me截止，反相器输出高电平比 Vdd 低一个开启电压。由于 Ml 管的 漏端已经夹断，当 Vo=Vdd-Vtl 时，源端也夹断，Ml 截止，所以：Voh=Vdd-Vtl。 当 Vi 为高电平时，Vol 的值由下式决定： Il=Ie Βl(Vdd-Vtl-Vol)²= βe[2(Vi-Vte)-vol]Vol D G S P+ P+ N--Si S G D Vds(-) Vg=Vt Ids(-) Vgs(-) Vt Ids(-) Vg=0 Vdd V0 Vss Vi Rl E/R 反相器 Vdd V0 Vss Vi Ml Me E/E 反相器