点击下载:清华大学:《VLSI设计导论》第三章 器件设计技术
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D G N+ (c)P沟增强 G N-Si(c)P 沟增强: D G S N+ N+ P--Si S G D Vds Vg=Vt Ids Vt Vgs Ids Vg=0 D G S P+ P+ N--Si S G D Vds(-) Vg=Vt Ids(-) Vgs(-) V t Ids(-) Vg=0
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