存取时间( access time): 写周期( write cycle):从加地址到一个字被 存储器內部存储操作全部完成的最大时间。 读周期( read cycle):从加地址到数据在数 据输出端出现的最大时间。 注意:各种信号必须满足器件要求的时序与 参数。特别是使能和地址信号必须先于读写信号 有效;读写信号必须保证足够时间;使能和地址 信号必须后于读写信号无效。 存储器性质 静态RAM( Static ram)(SRAM):内部 锁存器存储数据。不掉电,则数据保持有效。 动态RAM( Dynamic ram)(DRAM):二 进信息以电荷形式存储于内部电容器中。电容器 在MOS晶体管内部,所存电荷随时间放电,需 刷新( refreshing),间隔几毫秒。DRAM优点是 功耗小,集成度高。SRAM存取时间短,不需刷 新。 SRAM和DRAM均为易失性( volatile) 非易失存储器,如磁盘,ROM。存取时间（access time）： 写周期（write cycle）：从加地址到一个字被 存储器内部存储操作全部完成的最大时间。 读周期（read cycle）：从加地址到数据在数 据输出端出现的最大时间。 注意：各种信号必须满足器件要求的时序与 参数。特别是使能和地址信号必须先于读写信号 有效；读写信号必须保证足够时间；使能和地址 信号必须后于读写信号无效。 存储器性质 静态 RAM（Static RAM）（SRAM）：内部 锁存器存储数据。不掉电，则数据保持有效。 动态 RAM（Dynamic RAM）（DRAM）：二 进信息以电荷形式存储于内部电容器中。电容器 在 MOS 晶体管内部，所存电荷随时间放电，需 刷新（refreshing），间隔几毫秒。DRAM 优点是 功耗小，集成度高。SRAM 存取时间短，不需刷 新。 SRAM 和 DRAM 均为易失性（volatile）。 非易失存储器，如磁盘，ROM