41.3BJT的V特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mA iB=IOOHA ic face)I ig-const 放 8OHA 输出特性曲线的三个区 cOLA 大 40 饱和区:ic明显受c控制的区域, 该区域内,一般cE<0.,7V(硅管 20LA 此时,发身结正偏,集电结正偏或反 区 偏电压很小 6 12 UCE/V 截止区 截止区:iC近的区域,相当B=0放大区:C平行CE轴的区域,曲 的曲线的下方。此时,VBE小死区线基本平行等距此时,发航结正偏 电压。 集电结反偏。 HOiv配饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时，vBE小于死区 电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线