41.3BJT的V特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) iB=fURE) UCE conSt (1)当0=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当oc≥1V时,cB=cE-OB>0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区复合减少,同样的E下减小,特性曲线右移。 iB/HA T CE OBE 00.20.40.60.8 共射极连接 HOiv配4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时，vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接