(2)电注入一光检测 GaMnAs(p) (之二) GaAs spacer (O) GaAs substrate(n) 场致发光强度 (左) 100 极化度 四山 0.51.01.5 (右) 0 1251301351.401451.501551.60（2）电注入―光检测 （之二） 场致发光强度 （左） 极化度 （右）