(2)电注入一光检测(之一) 实验:磁性半导体电注入和偏振光检测 ( Nature402(1999)790;bd.408(200094 产生:P型一(Ga,Mn)As的自旋极化空穴 和N型-GaAs的非极化电子 进入 n GaAs量子阱复合, 产生极化的场致发光 (T=6K;H=10000e) 检测:偏振光检测（2）电注入―光检测（之一） 实验：磁性半导体电注入 和 偏振光检测 (Nature 402 (1999)790; ibid. 408 (2000)944) 产生： P型－(Ga,Mn)As 的自旋极化空穴 和N型－GaAs的非极化电子 进入InGaAs量子阱复合， 产生极化的场致发光。 （T=6K; H=1,000 Oe） 检测：偏振光检测