三、硅各项异性湿法刻蚀 微机械和微机电系统中使用得最多的材料是硅， 单晶硅的(100)、（110)和(111)晶面具有各向异性 的特性，在使用“KOH+H2O”作为腐蚀剂时， (100)、(110)、(111)晶面的蚀刻速率比大致为 400:100:1。可以应用各向异性刻蚀法加工立 体微硅器件。现在立体光刻腐蚀加工技术已是制 造三维立体微硅器件的最基本方法之一。 各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀 速率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌 由腐蚀速率最慢的晶面决定。• 微机械和微机电系统中使用得最多的材料是硅， 单晶硅的(100)、(110)和(111)晶面具有各向异性 的特性，在使用“KOH+H2O”作为腐蚀剂时， (100) 、(110)、(111)晶面的蚀刻速率比大致为 400：100：1。可以应用各向异性刻蚀法加工立 体微硅器件。现在立体光刻腐蚀加工技术已是制 造三维立体微硅器件的最基本方法之一。 • 各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀 速率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌 由腐蚀速率最慢的晶面决定