背面减薄 最终装配的第一步操作是背面减薄。在前端制 造过程中,为了使破损降到最小,大直径硅片 相应厚些(300mm的硅片是775um厚)。然而 硅片在装配开始前必须减薄。通常被减薄到 200~500um的厚度。较薄的硅片更容易划成小 芯片并改善散热,也有益于在装配中减少热应 力 ·使用全自动化机械进行背面减薄(见下图)。 背面减薄被精细的控制,使引入到硅片的应力 降到最低。在某些情况下,背面减薄后,在背 面在淀积金属,用于改善到底座的导电率以及 芯片共晶焊。 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 背面减薄 • 最终装配的第一步操作是背面减薄。在前端制 造过程中，为了使破损降到最小，大直径硅片 相应厚些（300mm的硅片是775µm厚）。然而 硅片在装配开始前必须减薄。通常被减薄到 200～500µm的厚度。较薄的硅片更容易划成小 芯片并改善散热，也有益于在装配中减少热应 力。 • 使用全自动化机械进行背面减薄（见下图）。 背面减薄被精细的控制，使引入到硅片的应力 降到最低。在某些情况下，背面减薄后，在背 面在淀积金属，用于改善到底座的导电率以及 芯片共晶焊