, 50nm 图4ZrN中的位惜 图5B'-Si3N4的高分辨电子显微现象 Fig.4 Dislocation in ZrN Fig.5 HREM ofB/-Si3N4 2.3a-SigN,中的超结构 用高分辨电子显微术对1650℃烧结样品中的a'-SigN,和1800℃烧结样品中的B'-SiN, 的晶格象进行了观察，结果表明：B'-SiaN,的晶格较完整，图5为B'-S1gN4在〔001)方向的 高分辨电子显微照片。而在a'-S,N,中观察到有不同的超结构出现，见图6，图6（左）图中S区 为超结构区，N区为正常区域。由于B-SiaN4是六方结构，空间群是Pg3,'-SigN4是三方 结构，空间群是Pa1c,在a-Si,N4的每个晶胞中有两个空隙，Ca2+离子可以填入而形成 Cay(Si,-xA1x)N,型化合物4)，这类化合物在晶格中按一定周期重复分布形成多种超结 构，而B'-Si,N,晶胞中无法再填入其它离子，所以没有观察到超结构。我们认为能容纳Ca2+ 离子的：相超结构的存在是有利于这类Si,N,基陶瓷高温性能的一个结构因素。 0,667m 图6a'-Si3N4中的超结构 Fig.6 Superlattice structures in a'-SiaN4 73翼 图 中的 位错 寸 图 刀 ’ 一 场 的 高分辫电子显 微现 象 刀 ‘ 一 。 ‘ 一 。 ‘ 中的超结构 用高分辨电子显微术对 · ℃ 烧结样品 中的 ‘ 一 。 ‘ 和 介℃ 烧结样品 中的声 ‘ 一 。 ‘ 钓 晶格象进行 了观察 ， 结果表 明 刀 ‘ 一 场 的晶格较完整 · 图 为 那 一 ‘ 。 ‘ 在〔 〕方 向的 高分辨 电子显微 照片 。 而 在“ ‘ 一 ‘ 中观察到有不 同的超结 构出现 ， 见 图冬图 左 图中 区 为超结 构 区 ， 区为正常区域 。 由于尸 一 ‘ 是六方结 构 ， 空 间群是 。 ， ， 一 ‘ 是三方 结构 ， 空 间群是 ， 在 ‘ 一 。 ‘ 的每个 晶胞 中有两个空隙 ， 十 离子可 以 填 人 而 形 成 ， 一 二 ‘ 型化合物 〔 弓 ’ ， 这 类化合 物在晶格 中按 一定周期重 复分布形 成 多 种 超 结 “ 一 构 ， 而刀 ‘ 一 ‘ 晶胞 中无法再填 人其它 离子 ，所 以没 有观察到超结构 。 我们 认为能 容纳 离子 的 相 超结构 的存 在是有利于这 类 。 ‘ 基陶瓷高温性能 的一个结构 因素 。 麓羹纂翼 图 尹一 ‘ 中的超结构 ’ 一 击