第三章半导体中的光现象 >辐射复合和非辐射复合 非辐射 多声子复合 复合 声子能量：约0.06ev一一 杂质缺陷界面态 俄歇复合 Auger effect:三粒子参与、四能级涉及 E (⑤) 带间俄歇复合 杂质俄歇复合 半导体中的几种带间和杂质能级参与的俄歇复合过程➢ 辐射复合和非辐射复合 第三章 半导体中的光现象 非辐射 复合 ✓ 多声子复合 声子能量：约0.06ev——杂质缺陷界面态 ✓ 俄歇复合 Auger effect：三粒子参与、四能级涉及