第三章半导体中的光现象 >辐射复合和非辐射复合 电子空穴 1.24阿的清夫 辐射 带间复合 E。= λ 复合 杂质能级与带间复合 浅施主能级+价带&导带+浅受主能级 杂质能带 √杂质能级之间的复合（施受合掺）：D-A对复合 √激子复合 间接半导体和地位结构半导体材料 等电子的陷阱复合 绿色红色GaP、GaAS 同组杂质被替换形成等电子陌阱 形成电子受主和电子施主对应的束缚激子➢ 辐射复合和非辐射复合 第三章 半导体中的光现象 ✓ 带间复合  1.24 Eg = 电子空穴 对的消失 ✓ 杂质能级与带间复合 浅施主能级+价带 & 导带+浅受主能级 杂质能带 ✓ 杂质能级之间的复合（施受合掺）：D-A对复合 ✓ 激子复合 间接半导体和地位结构半导体材料 ✓ 等电子的陷阱复合 同组杂质被替换形成等电子陷阱 形成电子受主和电子施主对应的束缚激子 绿色红色GaP、GaAS 辐射 复合