任意时刻t,在k=-n丌或z=-n-处(n=0,1,2 (波节)电场为0,磁场为最大值Em 在k=-(2n+1)或z=-(2n+1)处(n=0,1,2 (波腹)电场为最大值,磁场为0。 (1)合成波在空间没有移动,只是在原来的位置振动,这种波为驻波 (2)电场和磁场最大值位置错开一。 导体表面的场和电流 2E sin kzs 2 e=e cos k=cos ot =e=E cos ot 感应面电流 xB合=m=xe2 E cos ot=e.-cos ot 3、平均能流密度 E 结论:当平面波垂直入射到理想导体表面时,在介质空间的合成波(驻波)不传 播能量,只存在能量转化 二、对两种理想介质分界面的垂直入射 E 反 H任意时刻 t ，在 kz = −n 或 2  z = −n 处（n=0，1，2 ）, (波节) 电场为 0，磁场为最大值 Eim  2 ； 在 2 (2 1)  kz = − n + 或 4 (2 1)  z = − n + 处（n=0，1，2 ）， (波腹) 电场为最大值，磁场为 0 。 （1） 合成波在空间没有移动，只是在原来的位置振动，这种波为驻波； （2） 电场和磁场最大值位置错开 4  。 2、 导体表面的场和电流 ˆ 2 sin sin 0 0 0 = = z= x im z= E合 e E kz t  H e E k z t e E t z y i m z y i m     cos 2 cos cos ˆ 2 ˆ 0 0 = = 合 = =  感应面电流： t E J n H e e E t e i m z y i m x S z     cos 2 cos ˆ 2 ˆ ˆ ˆ 0 =  = −  = 合 =   3、 平均能流密度 ( ) sin cos ] 0 4 Re[ ˆ 2 1 Re[ * ] 2 1 2 = − = =  e j E k z k z S E H z im av  合 合    结论：当平面波垂直入射到理想导体表面时，在介质空间的合成波（驻波）不传 播能量，只存在能量转化。 二、对两种理想介质分界面的垂直入射 x Ei Et Hi • 入 • Ht 透 Er 0 y z 反  Hr 1 = 0  2 = 0