第六章均匀平面波对分界面的垂直入射 、对理想导体的垂直入射 设左半空间是理想介质,G1=0,右半空间是理想导体,G2=∞ 设入射波电场为:E,=EEc 反射波电场为:E=eE 则入射波磁场为:H=-e×e,Ee=-e,Ee- 反射波磁场为:H,=-(-e:)×E1Ene=--,Ee 由理想导体的边界条件 E,=0→(Ea+En)=0 →(Ex+En)=0 En=-Ex相位差为r 得反射波电场为:E,=-,Ene 反射波磁场为:H=-eEe 理想媒质中的合成场为(复数形式) E=ee jer 2E H合=H1+H1=,=m e.-Eim cos(k2 实数表示 Ea=Re[-je, 2Eim sin( kz)e]=er 2Eim sin( kz)sin( ar) HA=Rele. -eim cos(kz)e=e, -em cos(k=)cos(or) 讨论: 1、合成波的性质 电场强度振幅|E合|=2E川|sn(kz) 磁场强度振幅「1n-mcos(k) 按正弦规律变化第六章 均匀平面波对分界面的垂直入射 一、对理想导体的垂直入射 设左半空间是理想介质， 1 = 0， 右半空间是理想导体，  2 = ， 设入射波电场为： j z i x im E e E e −  = ˆ  反射波电场为： j z r x rm E e E e  = ˆ  则入射波磁场为： jkz y im j z i z x im H e e E e e E e − − =  = ˆ 1 ˆ ˆ 1     反射波磁场为： jkz y rm j z r z x rm H e e E e eˆ E e 1 ( ˆ ) ˆ 1    = −  = −  由理想导体的边界条件： i x rx rx i x 相位差为 z t i x rx E E E E E E E  + = = − =  + = = ( ) 0 0 ( ) 0 0 得反射波电场为： j z r x im E e E e  = −ˆ  反射波磁场为： jkz r y im H eˆ E e 1  =  理想媒质中的合成场为（复数形式） E E E e ˆ E (e e ) je ˆ 2E sin( k z) x i m j z jkz = i + r = x i m − = − −     合 cos( ) 2 ˆ (e e ) eˆ E k z E H H H e y i m i m j z jkz i r y    = + = + = −    合 实数表示： E Re[ je ˆ 2E sin( k z)e ] e ˆ 2E sin( k z)sin( t) x i m j t x i m   合 = − =  cos( ) cos( ) 2 cos( ) ] ˆ 2 H Re[eˆ E k z e e E k z t y i m j t y i m     合 = =  讨论： 1、 合成波的性质 电场强度振幅 E 2E sin( kz) 合 = im  磁场强度振幅 cos( ) 2 H E kz im  合 =  按正弦规律变化