湖南人文科技学院田汉平 (20v) R 10k 300k 0.02μuF ld 2M9 R 2kn R 100k 10k9 RBI 图题5.2.9 图解52.9 5.3结型场效应管(JFET) 5.3.1试从图题5.3.1(主教材图5.3.5b)的输出特性中,作出vns=4V 时的转移特性。 ip/mA,预夹断轨迹 0.8 Ⅱ区vGD=vGs-vDs= Ⅲ区 UGs=0V 0.6 预夹断点 0.2 /v 图题5.3.1 解:在输出特性中作v0s=4V的一条垂线,此垂线与各条输出特性曲线 的 交点分别为a、b、c,将a、b、c各点所对应i及tcs值画在ib-vcs的直角 坐标系中,得转移特性i=f(vs)|ms4v,如图解5.3.1所示。 5.32考虑P沟道FET对电源极性的要求,试画出由这种类型管子组成湖南人文科技学院 田汉平 9