湖南人文科技学院田汉平 Ⅲ区 UDs4V -0.4 -0.8 图解5.3.1 的共源放大电路 解:P沟道JFET与N沟道对电源极性要求相反,因此,可画P沟道JFET 共源放大电路如图解5.3.2所示。 /mA 20 图解5.3.2 图题5.3.3 5.3.3一个JFET的转移特性曲线如图题5.3.3所示,试问: (1)它是N沟道还是P沟道的FET? (2)它的夹断电压v和饱和漏极电流Ds各是多少? 解:由图题5.3.3可见,它是N沟道JFT,其V=-4V,Dss=3mA。 5.3.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型FET(包括N沟 道、P沟道MOS增强型和耗尽型, JFET P沟道、N沟道耗尽型)的转移特性示意 图,并标明各自的开启电压或夹断电压。 解:各类场效应管转移特性的示意图如图解5.3.4所示。 53.5四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a、b、c、d所示,其中漏 极电流i的假定正向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?湖南人文科技学院 田汉平 10