关系。我们与易磁化轴垂直的方向称为磁敏感方向。把下面进行简要说明。在外磁场B的 作用下，合成磁场方向与易磁化轴方向有小的偏移，偏移的大小O与外磁场B成正比， 0cB。这时通电的电流与合成磁场的方向为45°±日（正负号决定于外磁场的方向）。由 公式(2)，电阻率为p(p)=p1+(p-p)cos2(45±)当偏移0为小量时，△p()x干0， 即电阻率的改变与外加磁场强度成线性关系。 坡莫合金薄膜 易磁化轴方向 电流 45 图1各向异性磁电阻 图2是由四个各向异性磁阻元件构成的惠斯特电桥示意图，其中易磁化轴方向如图所 示。无外磁场作用下，电桥的4个桥臂电阻阻值相同，输出电压为零。有外磁场作用下，合 成磁化方向将在易磁化方向的基础上顺时针偏转一个小角度。结果使R,和R桥臂电流与磁 化方向的夹角增大，电阻减小△R:R和R桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大△R。 通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为： (3) 式中U,为电桥工作电压，R为桥臂电。只为阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度 B成正比，故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。 (3)式又可以写为： AU=SBU。 (4) 式中S为磁阻传感器的灵敏度，为1mV八N/Guass。灵敏度表示，当磁阻电桥的工作电压为 1W,被测磁场磁感应强度为1高斯时，输出信号为1Y。显然，当我们知道△U与B的变化 曲线，则可以求出磁阻传感器灵敏度（磁电转换特性）的大小。关系。我们与易磁化轴垂直的方向称为磁敏感方向。把下面进行简要说明。在外磁场 B 的 作用下，合成磁场方向与易磁化轴方向有小的偏移，偏移的大小  与外磁场 B 成正比，   B 。这时通电的电流与合成磁场的方向为 45    （正负号决定于外磁场的方向）。由 公式（2），电阻率为 2       ( ) ( )cos (45 )        。当偏移  为小量时，      ( ) ， 即电阻率的改变与外加磁场强度成线性关系。 图 1 各向异性磁电阻 图 2 是由四个各向异性磁阻元件构成的惠斯特电桥示意图，其中易磁化轴方向如图所 示。无外磁场作用下，电桥的 4 个桥臂电阻阻值相同，输出电压为零。有外磁场作用下，合 成磁化方向将在易磁化方向的基础上顺时针偏转一个小角度。结果使 R2 和 R3 桥臂电流与磁 化方向的夹角增大，电阻减小 R ； R1 和 R4 桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大 R 。 通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为： b R U U R    （3） 式中 Ub 为电桥工作电压， R 为桥臂电阻， R R  为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度 B 成正比，故 AMR 磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。 （3）式又可以写为：   U SBUb （4） 式中 S 为磁阻传感器的灵敏度，为 1mV/V/Guass。 灵敏度表示，当磁阻电桥的工作电压为 1V，被测磁场磁感应强度为 1 高斯时，输出信号为 1mV。显然，当我们知道 U 与 B 的变化 曲线，则可以求出磁阻传感器灵敏度（磁电转换特性）的大小。 45 电流 易磁化轴方向 坡莫合金薄膜