(CMR)。 (1)正常磁电阻效应 正常磁电阻效应是由于电子在磁场运动中受到洛伦兹力的作用，产生了回旋运动，增加 了电子的散射几率，导致了材料的电阻率的增加。在低磁场条件下，正常磁电阻OMR近似 与磁场大小成正比，但比例系数较小。随着温度的升高，通常电阻率增加。 (2)各向异性磁电阻效应 在一些磁性金属和合金中，电阻依赖于磁场方向和电流方向的夹角，这种现象称之为各 向异性磁电阻效应，磁电阻成为各向异性磁电阻(AMR)。通常磁场和电流方向相同时电阻 率P最大，磁场和电流方向垂直时电阻率P,最小，电流与磁场方向成p角时，电阻率可表 示为： p(o)=p+(p-p.)coso (2) (3)巨磁电阻效应 巨磁电阻效应是指铁磁性材料和非磁性金属交替组合的多层薄膜材料在磁场中电阻大 幅度下降的现象。这类巨磁电阻具有以下特点： I)GMR数值比AMR大得多： 2)可以近似看成各向同性的： 3)GMR电阻大小与薄膜层数相关。 (4)隧道磁电阻效应 隧道磁电阻一般是指铁磁金属/非磁绝缘体/铁磁金属构成的多层膜结构的电阻。由于电 子是通过隧道效应穿过绝缘层，因此这类磁阻效应称之为隧道磁电阻效应。TMR效应具有 饱和磁场低、能耗小、性能稳定、磁场灵敏度高的特点，其灵敏度比普通的MR效应的灵 敏度高10倍，比GMR的磁场灵敏度高几倍，因此在磁存储和磁传感器等方面有很好的应 用前景。 2.各向异性磁阻传感器 各向异性磁电阻由沉积在硅片上的坡莫合金(NiF©2o)薄膜形成电阻。沉积时外加磁 场，形成易磁化轴方向，通常通电电流与易磁化轴方向成45度角，如图1所示。当沿与易 磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电阻的改变与外加磁场强度成线性 （CMR）。 （1）正常磁电阻效应 正常磁电阻效应是由于电子在磁场运动中受到洛伦兹力的作用，产生了回旋运动，增加 了电子的散射几率，导致了材料的电阻率的增加。在低磁场条件下，正常磁电阻 OMR 近似 与磁场大小成正比，但比例系数较小。随着温度的升高，通常电阻率增加。 （2）各向异性磁电阻效应 在一些磁性金属和合金中，电阻依赖于磁场方向和电流方向的夹角，这种现象称之为各 向异性磁电阻效应，磁电阻成为各向异性磁电阻（AMR）。通常磁场和电流方向相同时电阻 率  最大，磁场和电流方向垂直时电阻率   最小，电流与磁场方向成  角时，电阻率可表 示为： 2       ( ) ( )cos      （2） （3）巨磁电阻效应 巨磁电阻效应是指铁磁性材料和非磁性金属交替组合的多层薄膜材料在磁场中电阻大 幅度下降的现象。这类巨磁电阻具有以下特点： 1) GMR 数值比 AMR 大得多； 2）可以近似看成各向同性的； 3） GMR 电阻大小与薄膜层数相关。 （4）隧道磁电阻效应 隧道磁电阻一般是指铁磁金属/非磁绝缘体/铁磁金属构成的多层膜结构的电阻。由于电 子是通过隧道效应穿过绝缘层，因此这类磁阻效应称之为隧道磁电阻效应。TMR 效应具有 饱和磁场低、能耗小、性能稳定、磁场灵敏度高的特点，其灵敏度比普通的 MR 效应的灵 敏度高 10 倍，比 GMR 的磁场灵敏度高几倍，因此在磁存储和磁传感器等方面有很好的应 用前景。 2. 各向异性磁阻传感器 各向异性磁电阻由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni80 Fe20）薄膜形成电阻。沉积时外加磁 场，形成易磁化轴方向，通常通电电流与易磁化轴方向成 45 度角，如图 1 所示。当沿与易 磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电阻的改变与外加磁场强度成线性