磁电阻效应 磁场加到材料时，材料的电阻值发生变化，这种变化称为磁电阻效应。磁电阻效应普 遍存在于金属材料中。1856年英国物理学家威廉姆·汤姆森(William Thomson)首次发现 了铁磁材料的各向异性磁电阻效应。磁场方向和电流方向相同时，材料的电阻值增加，当磁 场方向和电流方向垂直时，电阻值反而减小。1988年，法国的科学家阿尔伯特·菲尔(Nbe Fert)和德国的科学家彼得·格鲁伯格(Peter Grunberg)分别独立地发现了巨磁电阻效 应，并于2007年被授予诺贝尔物理学奖。 磁电阻效应普遍存在于磁性和非磁性导体材料中，利用磁电阻效应制成的各类传感器广 泛地应用在日常生活、国防和航天等领域，创造出了巨大的社会价值。磁场的测量可利用电 磁感应，霍耳效应，磁电阻效应等各种效应。其中磁电阻效应方法发展快、测量灵敏度最高。 磁阻传感器可用于直接测量磁场，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计 算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁电阻 效应已制成各种位移、角度、转速传感器，隔离开关等，广泛用于汽车，家电及各类需要自 动检测与控制的领域。 【实验目的】 1.了解正常磁电阻效应、巨磁电阻效应和各向异性磁电阻效应的基本知识： 2.了解各向异性磁阻传感器原理并对其特性进行测量： 3.测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。 【实验原理】 1.磁电阻 通常将磁场引起的电阻率变化表示成△p(川=p(川-P0),其中p(川和PO)分别 为在磁场H和无磁场时的电阻率。磁电阻通常表示为 MR=AP (1) 其中p可以是p(H)或者pO)。 根据磁电阻效应的机制不同，磁电阻效应可以分为正常磁电阻效应(OMR)入、各向异性 磁电阻效应(AMR)、巨磁电阻效应(GMR)、隧道磁电阻效应(TMR)和庞磁电阻效应等磁电阻效应 磁场加到材料时，材料的电阻值发生变化，这种变化称为磁电阻效应。磁电阻效应普 遍存在于金属材料中。1856 年英国物理学家威廉姆·汤姆森（William Thomson）首次发现 了铁磁材料的各向异性磁电阻效应。磁场方向和电流方向相同时，材料的电阻值增加，当磁 场方向和电流方向垂直时，电阻值反而减小。1988 年，法国的科学家阿尔伯特·菲尔（Albert Fert ）和德国的科学家彼得·格鲁伯格（Peter Grünberg）分别独立地发现了巨磁电阻效 应，并于 2007 年被授予诺贝尔物理学奖。 磁电阻效应普遍存在于磁性和非磁性导体材料中，利用磁电阻效应制成的各类传感器广 泛地应用在日常生活、国防和航天等领域，创造出了巨大的社会价值。磁场的测量可利用电 磁感应，霍耳效应，磁电阻效应等各种效应。其中磁电阻效应方法发展快、测量灵敏度最高。 磁阻传感器可用于直接测量磁场，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计 算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁电阻 效应已制成各种位移、角度、转速传感器，隔离开关等，广泛用于汽车，家电及各类需要自 动检测与控制的领域。 【实验目的】 1． 了解正常磁电阻效应、巨磁电阻效应和各向异性磁电阻效应的基本知识； 2． 了解各向异性磁阻传感器原理并对其特性进行测量； 3． 测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。 【实验原理】 1. 磁电阻 通常将磁场引起的电阻率变化表示成       ( ) ( ) (0) H H ，其中 ( ) H 和 (0) 分别 为在磁场 H 和无磁场时的电阻率。磁电阻通常表示为 MR     （1） 其中  可以是 ( ) H 或者 (0) 。 根据磁电阻效应的机制不同，磁电阻效应可以分为正常磁电阻效应（OMR）、各向异性 磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、隧道磁电阻效应（TMR）和庞磁电阻效应等