e,=Ao cosor e=A cosot (10) 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面(z=0)的光波表示为 E(0)=A E(0)=A (11) 所以，入射光的强度是 1xE·E°=E,(0+E,(0)=2A2 12) 当光通过长为1的电光晶体后，X'和Y'两分量之间就产生位相差6，即 E.(0=A E(1)=Ae-1 通过检偏器出射的光，是这两分量在Y轴上的投影之和 怎，=e-》 14) 其对应的输出光强1，可写成 x()E])n (15) 由(13)、(16)式，可得光强透过率T为 (16) (17) 由此可见，δ和V有关，当电压增加到某一值时，X'、Y方向的偏振光经过晶体后 产生的光程差，位相差6=π，T=100%,这一电压叫半波电压，通常用y或V 表示。 V,是描述晶体电光效应的重要参数，在实验中，这个电压越小越好，如果V小， 需要的调制信号电压也小，根据半波电压值，我们可以估计出电光效应控制透过 强度所需电压。 由(17)式可得： (18 6 tAe tAe y x ω ω cos cos 0 0 ' ' = = (10) 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为 AE AE y x = = )0( )0( ' ' (11) 所以,入射光的强度是 2 2 2 ' EEEEI y 2)0()0( A x =+=•∝ ∗ (12) 当光通过长为l的电光晶体后， X′和Y′两分量之间就产生位相差δ，即 (13) iδ y x AelE AlE − = = )( )( ' ' 通过检偏器出射的光，是这两分量在Y轴上的投影之和 ( ) )1( 2 0 −= iδ y e A E (14) 其对应的输出光强 ，可写成 1 I ( )( ) ( )( ) 2 2 2 1 0 0 1 1 2 sin 2 2 i i y y A I EE e e A ∗ − δ δ δ ⎡ ⎤ ∝ = − −= ⎡ ⎤ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦ ￾ (15) 由（13）、（16）式，可得光强透过率T 为 2 sin 1 2 δ == i I I T (16) ' ' 2 ( ) x y n n π δ λ = − 3 0 22 2 l l nV d π γ λ = (17) 由此可见，δ和V有关，当电压增加到某一值时，X’、Y’方向的偏振光经过晶体后 产生 2 λ 的光程差，位相差 0 0 δ = = π , 100 T ，这一电压叫半波电压，通常用Vπ 或 2 Vλ 表示。 Vπ 是描述晶体电光效应的重要参数，在实验中，这个电压越小越好，如果Vπ 小， 需要的调制信号电压也小，根据半波电压值，我们可以估计出电光效应控制透过 强度所需电压。 由（17）式可得： ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = l d n V 22 3 0 2 γ λ π (18) 6