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长沙理工大学:《光电子学》课程教学资源(实验指导)LiNbO3晶体电光强度调制

资源类别:文库,文档格式:PDF,文档页数:10,文件大小:352.18KB,团购合买
1. 掌握晶体的电光效应和实验方法。 2. 掌握晶体电光调制器的工作原理。 3. 掌握LiNbO3电光晶体半波电压和晶体透过率的测量方法。
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LiNb0晶体电光强度调制 [实验目的 1.掌握晶体的电光效应和实验方法。 2.掌握晶体电光调制器的工作原理。 3.掌握LNbO,电光晶体半波电压和晶体透过率的测量方法。 [实验仪器] 电光效应实验仪 [实验原理] 1、一次电光效应和晶体的折射率椭球 我们知道光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约。理论和实 验均表明晶体介质的介电系数与晶体中电荷的分布有关。对于一些晶体材料,当 上施加电场之后,将引起束缚电荷的重新分布,并可能导致离子晶格的微小形变, 其结果将引起介电系数的变化,最终导致晶体折射率的变化,所以折射率成为外 加电场£的函数,即 △n=n-n=cE+c3E2+… (1) 式中第一项称为线性电光效应或泡克耳(Pockels)效应:第二项,称为二次电光 效应或克尔(Kr)效应。对于大多数电光晶体材料,一次效应要比二次效应显 著,故在此只讨论线性电光效应。 当光线穿过某些晶体(如方解石、铌酸锂、钽酸锂等)时,会折射成两束光。 其中一束符合一般折射定律称之为寻常光(简称0光),折射率以,表示;而另 一束的折射率随入射角不同而改变,称为非常光(简称e光),折射率以n,表示。 一般讲晶体中总有一个或二个方向,当光在晶体中沿此方向传播时,不发生双折 射现象,把这个方向叫做晶体的光轴方向。只有一个光轴的称为单轴晶体,有两 个光轴方向的称为双轴晶体。 对电光效应的分析和描述有两种方法:一种是电磁理论方法,但数学推导 相当繁复:另一种是用几何图形一折射率椭球的方法,这种方法直观简洁,故 通常采用这种方法。 光在各向异性晶体中传播时,因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同

LiNbO3晶体电光强度调制 [实验目的] 1. 掌握晶体的电光效应和实验方法。 2. 掌握晶体电光调制器的工作原理。 3. 掌握LiNbO3电光晶体半波电压和晶体透过率的测量方法。 [实验仪器] 电光效应实验仪 [实验原理] 1、一次电光效应和晶体的折射率椭球 我们知道光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约。理论和实 验均表明晶体介质的介电系数与晶体中电荷的分布有关。对于一些晶体材料,当 上施加电场之后,将引起束缚电荷的重新分布,并可能导致离子晶格的微小形变, 其结果将引起介电系数的变化,最终导致晶体折射率的变化,所以折射率成为外 加电场 E 的函数,即 ++=−= L (1) 2 Δ 210 EcEcnnn 式中第一项称为线性电光效应或泡克耳(Pockels)效应;第二项,称为二次电光 效应或克尔(Kerr)效应。对于大多数电光晶体材料,一次效应要比二次效应显 著,故在此只讨论线性电光效应。 当光线穿过某些晶体(如方解石、铌酸锂、钽酸锂等)时,会折射成两束光。 其中一束符合一般折射定律称之为寻常光(简称o光),折射率以 表示;而另 一束的折射率随入射角不同而改变,称为非常光(简称e光),折射率以 表示。 一般讲晶体中总有一个或二个方向,当光在晶体中沿此方向传播时,不发生双折 射现象,把这个方向叫做晶体的光轴方向。只有一个光轴的称为单轴晶体,有两 个光轴方向的称为双轴晶体。 0 n ne 对电光效应的分析和描述有两种方法:一种是电磁理论方法,但数学推导 相当繁复;另一种是用几何图形——折射率椭球的方法,这种方法直观简洁,故 通常采用这种方法。 光在各向异性晶体中传播时,因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同, 1

光的折射率就不同。根据光的电磁理论知道,光波是一种电磁波。在各向异性介 质中,光波中的电场强度矢量E与电位移矢量D的方向是不同的。对于任意一种 晶体,我们总可以找到一个直角坐标系(x,八,:),在此坐标系中有: D6100YE) D =0620E .006B人E. 这样的坐标系(x,y,:)叫做主轴坐标系。当电场E沿主轴坐标系的x,y,:引入 时,晶体也沿该方向极化,从而使得D和E方向一致。 图1折射率椭球 光波在品体中的传播性质可以用一个折射率椭球来描述(如图1所示),在品 体的主轴坐标系中,折射率椭球的表达式写为: x2y22 网+店+引 (2) 式中n,n2,n为椭球三个主轴方向上(x,y,:方向)的折射率,称为主折射率。 当晶体上加上电场后,折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化,椭球的 方程变为 (3) 只考虑一次电光效应,上式与式(2)相应项的系数之差和电场强度的一次方成 正比。由于晶体的各向异性,电场在x,八,:各个方向上的分量对椭球方程的各个 系数的影响是不同的,我们用下列形式表示:

光的折射率就不同。根据光的电磁理论知道,光波是一种电磁波。在各向异性介 质中,光波中的电场强度矢量 E v 与电位移矢量 D v 的方向是不同的。对于任意一种 晶体,我们总可以找到一个直角坐标系( x ,, zy ),在此坐标系中有: ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ z y x z y x E E E D D D 33 22 11 00 00 00 ε ε ε 这样的坐标系( x y,, z )叫做主轴坐标系。当电场 E v 沿主轴坐标系的 x y,, z 引入 时,晶体也沿该方向极化,从而使得 D v 和 E v 方向一致。 图 1 折射率椭球 光波在晶体中的传播性质可以用一个折射率椭球来描述(如图 1 所示),在晶 体的主轴坐标系中,折射率椭球的表达式写为: 1 2 3 2 2 2 2 2 1 2 =++ n z n y n x (2) 式中 , , n1 n2 n3 为椭球三个主轴方向上( x ,, zy 方向)的折射率,称为主折射率。 当晶体上加上电场后,折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化,椭球的 方程变为 222 22 22 2 2 11 22 33 23 13 12 222 1 xyz yz xz xy nn nn n n +++ + + = (3) 只考虑一次电光效应,上式与式(2)相应项的系数之差和电场强度的一次方成 正比。由于晶体的各向异性,电场在 x ,, zy 各个方向上的分量对椭球方程的各个 系数的影响是不同的,我们用下列形式表示: 2

店定6+%5+E 1 =YE,+yE+E. 店⅓E+£,+5 1 1 (④) =E+E+5 E+E,+5 1 定国+国 上式是晶体一次电光效应的普遍表达式,式中y,叫做电光系数(=1,2, 6:j1,2,3),共有18个,E,E,E.是电场E在x、y、2方向上的分量。式(4) 可写成矩阵形式: 1 1 Ya y42 E (5) 红 Y61 1 电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系,可分为纵向电光效应和 横向电光效应。利用纵向电光效应的调制,叫做纵向电光调制:利用横向电光效 应的调制,叫做横向电光调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电 光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电 光效应,称为纵向电光效应,通常以KDP类型晶体为代表。加在晶体上的电场 方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应,称为横向电光效应,以 LiNbo,晶体为代表。 本实验中,我们只做LNbo,晶体的横向电光强度调制实验。我们采用对LN

2 2 11 12 13 11 1 2 2 21 22 23 22 2 2 2 31 32 33 33 3 2 41 42 43 23 2 51 52 53 13 2 61 62 63 12 1 1 1 1 1 1 1 1 1 x y z x y z x y Z xyz xyz xyz EEE n n E E n n EEE n n EEE n EEE n EEE n γγγ γγγ γγγ γγγ γγγ γγγ ⎧ −= + + ⎪ ⎪ ⎪ −= + + ⎪ ⎪ ⎪ −= + + ⎪ ⎪ ⎨ ⎪ =++ ⎪ ⎪ ⎪ =++ ⎪ ⎪ ⎪ =++ ⎪ ⎩ E (4) 上式是晶体一次电光效应的普遍表达式,式中 ij γ 叫做电光系数 (i=1,2,… 6;j=1,2,3),共有18个, 是电场 , Ex EE zy , E 在 x、 、z方向上的分量。式(4) 可写成矩阵形式: y 2 2 11 1 2 2 22 2 11 12 13 21 22 23 2 2 33 3 31 32 33 41 42 43 2 23 51 52 53 61 61 63 2 13 2 12 1 1 1 1 1 1 1 1 1 X Y Z n n n n E n n E E n n n γγγ γγγ γγγ γγγ γγγ γγγ ⎛ ⎞ − ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ − ⎜ ⎟ ⎡ ⎤ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ − ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎡ ⎤ ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ = ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ (5) 电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系,可分为纵向电光效应和 横向电光效应。利用纵向电光效应的调制,叫做纵向电光调制;利用横向电光效 应的调制,叫做横向电光调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电 光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电 光效应,称为纵向电光效应,通常以KD P∗ 类型晶体为代表。加在晶体上的电场 方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应,称为横向电光效应 ,以 晶体为代表。 LiNbo3 本实验中,我们只做LiNbo3 晶体的横向电光强度调制实验。我们采用对LN 3

晶体横向施加电场的方式来研究LbO3晶体的电光效应。其中,晶体被加工成 5×5×30mm3的长条,光轴沿长轴通光方向,在两侧镀有导电电极,以便施加均 匀的电场。 电极 通光面 电极 图2 LiNbo,晶体 铌酸锂晶体是负单轴晶体,即m,=n,=n。,n,=n。。加上电场后折射率椭 球发生畸变,由于晶体的对称性,电光系数矩阵形式为 0 -722 71 0 0 0 7.= 0 0 0 0 -Y2 0 0 当x轴方向加电场,光沿:轴方向传播时,晶体由单轴晶体变为双轴晶体, 垂直于光轴忆方向折射率椭球截面由圆变为椭圆,此椭圆方程为: x2 n。2n02 -2yzE,xy=1 将x-y坐标系绕:轴逆时针旋转45得到x'-y'坐标系,即令 x=rcos45-ysim45°=- y=sin45°+ycs45°-x¥y 进行主轴变换后得到: (8) 考虑到YE(《1,经化简得到

晶体横向施加电场的方式来研究LiNbO3 晶体的电光效应。其中,晶体被加工成 5×5×30mm3 的长条,光轴沿长轴通光方向,在两侧镀有导电电极,以便施加均 匀的电场。 光轴 电极 通光面 电极 图 2 晶体 LiNbo3 铌酸锂晶体是负单轴晶体,即 = = = nnnnn ezoyx , 。加上电场后折射率椭 球发生畸变,由于晶体的对称性,电光系数矩阵形式为 (6) ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ − − = 00 00 0 0 00 0 0 22 42 42 13 22 13 1322 γ γ γ γ γγ γγ γ ij 当 x轴方向加电场,光沿 轴方向传播时,晶体由单轴晶体变为双轴晶体, 垂直于光轴Z方向折射率椭球截面由圆变为椭圆,此椭圆方程为: z 2 1 2 22 0 2 2 0 2 −+ xyE = n y n x x γ (7) 将 x − y坐标系绕 轴逆时针旋转45 z 0 得到 ′ − yx ′ 坐标系,即令 ⎪ ⎪ ⎩ ⎪ ⎪ ⎨ ⎧ ′ + ′ = ′ + ′ = ′ − ′ = ′ − ′ = 2 45cos45sin 2 45sin45cos 0 0 0 0 yx xy y yx xx y 进行主轴变换后得到: 1 1 1 2 2 22 0 2' 2 22 0 = ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ ++ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − yE n xEx n x γ γ (8) 考虑到 <<1,经化简得到 22En x 2 0 γ 4

nnn ”,=%-2E n,=n 9 当x轴方向加电场时,新折射率椭球绕:轴转动45°。 可见,晶体沿x轴加电场时,由单轴晶体变成了双轴晶体,折射率椭球的主 轴绕:轴旋转了45°角,此转角与外加电场的大小无关,其折射率变化与电场成 正比,这是利用电光效应实现光调制、调Q、锁模等技术的物理基础。 图3加电场后折射率椭球的变化 2、LiNbo,晶体横向电光效应原理的激光强度调制器 图4为典型的利用LNbo,晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。 “快”轴 (平行于 电光晶体 喻出光 图4品体横向电光效应原理图 其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴,检偏器的偏振方向平行于Y 轴。因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光,它在晶体的感 应轴X和Y轴上的投影的振幅和位相均相等,设分别为

x x 22Ennn 3 0 0 2 1 , += γ x y 22Ennn 3 0 0 2 1 , −= γ (9) ' = nn ez 当 x轴方向加电场时,新折射率椭球绕 轴转动 45 z 0 。 可见,晶体沿 x轴加电场时,由单轴晶体变成了双轴晶体,折射率椭球的主 轴绕 z 轴旋转了 45°角,此转角与外加电场的大小无关,其折射率变化与电场成 正比,这是利用电光效应实现光调制、调 Q、锁模等技术的物理基础。 图 3 加电场后折射率椭球的变化 2、 晶体横向电光效应原理的激光强度调制器 LiNbo3 图4为典型的利用 晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。 LiNbo3 图4 晶体横向电光效应原理图 其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴,检偏器的偏振方向平行于Y 轴。因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光,它在晶体的感 应轴 ' X 和 轴上的投影的振幅和位相均相等,设分别为 ' Y 5

e,=Ao cosor e=A cosot (10) 或用复振幅的表示方法,将位于晶体表面(z=0)的光波表示为 E(0)=A E(0)=A (11) 所以,入射光的强度是 1xE·E°=E,(0+E,(0)=2A2 12) 当光通过长为1的电光晶体后,X'和Y'两分量之间就产生位相差6,即 E.(0=A E(1)=Ae-1 通过检偏器出射的光,是这两分量在Y轴上的投影之和 怎,=e-》 14) 其对应的输出光强1,可写成 x()E])n (15) 由(13)、(16)式,可得光强透过率T为 (16) (17) 由此可见,δ和V有关,当电压增加到某一值时,X'、Y方向的偏振光经过晶体后 产生的光程差,位相差6=π,T=100%,这一电压叫半波电压,通常用y或V 表示。 V,是描述晶体电光效应的重要参数,在实验中,这个电压越小越好,如果V小, 需要的调制信号电压也小,根据半波电压值,我们可以估计出电光效应控制透过 强度所需电压。 由(17)式可得: (18 6

tAe tAe y x ω ω cos cos 0 0 ' ' = = (10) 或用复振幅的表示方法,将位于晶体表面(z=0)的光波表示为 AE AE y x = = )0( )0( ' ' (11) 所以,入射光的强度是 2 2 2 ' EEEEI y 2)0()0( A x =+=•∝ ∗ (12) 当光通过长为l的电光晶体后, X′和Y′两分量之间就产生位相差δ,即 (13) iδ y x AelE AlE − = = )( )( ' ' 通过检偏器出射的光,是这两分量在Y轴上的投影之和 ( ) )1( 2 0 −= iδ y e A E (14) 其对应的输出光强 ,可写成 1 I ( )( ) ( )( ) 2 2 2 1 0 0 1 1 2 sin 2 2 i i y y A I EE e e A ∗ − δ δ δ ⎡ ⎤ ∝ = − −= ⎡ ⎤ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦ ￾ (15) 由(13)、(16)式,可得光强透过率T 为 2 sin 1 2 δ == i I I T (16) ' ' 2 ( ) x y n n π δ λ = − 3 0 22 2 l l nV d π γ λ = (17) 由此可见,δ和V有关,当电压增加到某一值时,X’、Y’方向的偏振光经过晶体后 产生 2 λ 的光程差,位相差 0 0 δ = = π , 100 T ,这一电压叫半波电压,通常用Vπ 或 2 Vλ 表示。 Vπ 是描述晶体电光效应的重要参数,在实验中,这个电压越小越好,如果Vπ 小, 需要的调制信号电压也小,根据半波电压值,我们可以估计出电光效应控制透过 强度所需电压。 由(17)式可得: ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = l d n V 22 3 0 2 γ λ π (18) 6

由(17)、(18)式可得 (19) 因此,将(16)式改写成 (20) 其中V。是直流偏压,V.sin是交流调制信号,V是其振幅,o是调制频率,从 (20)式可以看出,改变,或V输出特性,透过率将相应的发生变化。 由于对单色光,丝为常数,因而T将仅随晶体上所加电压变化,如图5所示。 T与V的关系是非线性的,若工作点选择不适合,会使输出信号发生畸变。但在号 附近有一近似直线部分,这一直线部分称作线性工作区,由上式可以看出:当 r=,时,6=7T=50%. T1.0 0.5 光输出 电压输入 图5T与V的关系曲线图 [实验内容] 主机箱面板功能:

由(17)、(18)式可得 π πδ V V = (19) 因此,将(16)式改写成 ( )tVV V V V T m ω π π π π sin 2 sin 2 sin 0 2 2 = = + (20) 其中 是直流偏压, V0 sin Vm ωt 是交流调制信号,Vm 是其振幅,ω 是调制频率,从 (20)式可以看出,改变 或 输出特性,透过率将相应的发生变化。 V0 Vm 由于对单色光, 3 0 22 πn γ λ 为常数,因而T将仅随晶体上所加电压变化,如图5所示, T与V的关系是非线性的,若工作点选择不适合,会使输出信号发生畸变。但在 2 Vπ 附近有一近似直线部分,这一直线部分称作线性工作区,由上式可以看出:当 1 2 V V = π 时, 0 0 , 50 2 T π δ = = 。 图 5 T 与 V 的关系曲线图 [实验内容] 主机箱面板功能: 7

主机箱“JTDG1110晶体驱动电源”主要功能为晶体驱动电压的输出与输出 电压的指示、状态的切换、被调制信号的接受与放大和还原。各面板元器件作用 与功能如下 1.表头:3位半数字表头,用于指示晶体驱动电压的大小,当状态旋钮打 在正弦波或音频输入位置时,显示值为近似平均值。 2.电源开关:主机的电源开关(220VAC)。 3.驱动电压旋钮:多圈。用于调节加在晶体上的直流电压。 4. 输出及波形插座:9插座,其中输出插座为高压插座,使用时应与晶体附 件连接, 波形插座输出驱动波形,一般与示波器1通道连接 /表头 JTDG1110晶体驱动电源 磁越 状 颜度调节 动电压 着出 形 音输入 光电接受 @ 北京方式科技有限贵任公司 电源开关 5。状态旋钮:3挡波段开关,用于选择不同的驱动模式。其中“直流”状态 为主机输出一大小可调的直流电压。“正弦波”状态为主机输出一叠加在 直流电压上的正弦波信号。直流电压的大小可由驱动电压旋钮调节,正 弦波的幅度可由幅度调节旋钮调节。音颍输入状态可将一外接音频信号 叠加在直流电压上,用于驱动晶体。 6.音频输入插座:3.5mm耳机插座,用于输入音频信号。 7.幅度调节旋钮:用于调节正弦波的幅度。 8.光电接收及波形插座:Q9插座,光电接收接光电二极管,波形接示波器 2通道,观察光信号的波形

主机箱“JTDG1110晶体驱动电源”主要功能为晶体驱动电压的输出与输出 电压的指示、状态的切换、被调制信号的接受与放大和还原。各面板元器件作用 与功能如下: 1. 表头 :3位半数字表头,用于指示晶体驱动电压的大小,当状态旋钮打 在正弦波或音频输入位置时,显示值为近似平均值。 2. 电源开关:主机的电源开关(220VAC)。 3. 驱动电压旋钮:多圈。用于调节加在晶体上的直流电压。 4. 输出及波形插座:9插座,其中输出插座为高压插座,使用时应与晶体附 件连接, 波形插座输出驱动波形,一般与示波器1通道连接 JTD G1110晶体驱动电源 V 驱动电压 输出 波形 音频输入 光电接受 波形 状态 幅度调节 直流 正弦波 北京方式科技有限责任公司 电源开关 表头 5. 状态旋钮:3 挡波段开关,用于选择不同的驱动模式。其中“直流”状态 为主机输出一大小可调的直流电压。“正弦波”状态为主机输出一叠加在 直流电压上的正弦波信号。直流电压的大小可由驱动电压旋钮调节,正 弦波的幅度可由幅度调节旋钮调节。音频输入状态可将一外接音频信号 叠加在直流电压上,用于驱动晶体。 6. 音频输入插座:3.5mm 耳机插座,用于输入音频信号。 7. 幅度调节旋钮:用于调节正弦波的幅度。 8. 光电接收及波形插座:Q9 插座,光电接收接光电二极管,波形接示波器 2 通道,观察光信号的波形。 8

9.扬声器开光:用于控制内置扬声器的开和关。在主机后面板上。 [实验步骤] 1)使系统按激光器、起偏器、检偏器、光功率计的左右顺序在导轨上依次 排列。 2)打开激光功率指示计电源,调整系统光路,使光学元件尽量与激光束等 高、同轴、垂直。 3)先取下检偏器,缓慢旋转起偏器、观察起偏器输出光功率,使其值达到 最大。将检偏器放回原位,缓慢旋转检偏器,用光功率计测量,使检偏 器输出光功率达到最小值。这时起偏器与检偏器相互垂直,系统进入消 光的状态。 4)将LN晶体放置于起偏器与检偏器之间,调整其高度和方向尽量使LN 品体与光束同轴。 5)将晶体驱动电源的电压调至最低(0V),状态开关打到直流状态,观察 输出光功率数值。仔细调整LN晶体的角度和方位,尽量使光功率最小, 记下此时的光功率值Pmin。(理论上讲,LN晶体的加入应对系统的消光 状态无影响,但由于LN晶体本身固有的缺陷和激光光束的品质问题, 系统消光状态将会变化)。 6)顺时针旋转电压调整旋钮,缓慢调高驱动电压,并记录下电压值和激光 功率值,0V-1400V之间可每50V记录一次系统输出光功率。特别注 意记录最大功率值Pmar和对应的电压值'。 7)根据上两步记录的数据,求出系统消光比M=Pmax/Pmin和半波电压 V,画出电压与输出功率的对应曲线(可在全部实验结束后进行)。 8)取下LN晶体,旋转检偏器,记录下系统输出最大的光功率PO,计算LN 晶体的透过率T。 T=Pmax/Po 消光比M、透过率T、半波电压V,2是表征电光晶体品质的三个重要 特征参量。 9)重复步骤(1)一(5),将系统重新调节为消光状态。 10)将上一个实验电路中的功率指示计探头取下,换上光电二极管探头,使 9

9. 扬声器开光:用于控制内置扬声器的开和关。在主机后面板上。 [实验步骤] 1) 使系统按激光器、起偏器、检偏器、光功率计的左右顺序在导轨上依次 排列。 2) 打开激光功率指示计电源,调整系统光路,使光学元件尽量与激光束等 高、同轴、垂直。 3) 先取下检偏器,缓慢旋转起偏器、观察起偏器输出光功率,使其值达到 最大。将检偏器放回原位,缓慢旋转检偏器,用光功率计测量,使检偏 器输出光功率达到最小值。这时起偏器与检偏器相互垂直,系统进入消 光的状态。 4) 将 LN 晶体放置于起偏器与检偏器之间,调整其高度和方向尽量使 LN 晶体与光束同轴。 5) 将晶体驱动电源的电压调至最低(0V),状态开关打到直流状态,观察 输出光功率数值。仔细调整 LN 晶体的角度和方位,尽量使光功率最小, 记下此时的光功率值 Pmin。(理论上讲,LN 晶体的加入应对系统的消光 状态无影响,但由于 LN 晶体本身固有的缺陷和激光光束的品质问题, 系统消光状态将会变化)。 6) 顺时针旋转电压调整旋钮,缓慢调高驱动电压,并记录下电压值和激光 功率值,0V~1400V 之间可每 50V 记录一次系统输出光功率。特别注 意记录最大功率值 Pmax 和对应的电压值Vλ 2 。 7) 根据上两步记录的数据,求出系统消光比 M= Pmax / Pmin 和半波电压 Vλ 2 ,画出电压与输出功率的对应曲线(可在全部实验结束后进行)。 8) 取下LN晶体,旋转检偏器,记录下系统输出最大的光功率Po,计算LN 晶体的透过率T。 T= Pmax / Po 消光比M 、透过率T、 半波电压Vλ/2是表征电光晶体品质的三个重要 特征参量。 9)重复步骤(1)—(5),将系统重新调节为消光状态。 10) 将上一个实验电路中的功率指示计探头取下,换上光电二极管探头,使 9

系统光路按半导体激光器、起偏器、LN晶体、检偏器、光电二极管探头 顺序排列。 11)将驱动信号波形插座和接受信号波形插座分别与双踪示波器CH1和 CH2通道连接,光电二极管探头与信号输入插座连接。 12)将状态开关置于正弦波位置,幅度调节钮旋至最大。 13)示波器置于双踪同时显示,以驱动信号波形为触发信号,正弦波频率约 为1KHZ。旋转电压调节旋钮改变静态工作点,观察示波器上的波形变 化。将直流偏置电压调至二分之一半波电压附近,此时调制后输出的光 脉冲幅度最大且失真最小,记录示波器显示的驱动信号波形和调制光波 形。 记录数据 LV晶体驱动电压与系统输出光功率 电压(V)050 100150200250300350400 450 光功率P 电压(V) 500550 600 650 700 750 800 850 900 950 光功率P 电压(V) 10001050 1100 1150120012501300 13501400 光功率P 数据: Pmin= Pmax- 数据处理: 1)利用表格数据作出LN品体驱动电压与输出功率的对应曲线 2)计算系统的消光比M、透过率T和半波电压' [思考题] 1.在实际的电光调制器中,引入四分之一波片的作用是什么? 2.你测量出的晶体半波电压数量级是多少?在制作电光晶体调制器选择晶体 种类时,挑选半波电压数值大的晶体材料好还是挑选半波电压小的材料好? 为什么?

系统光路按半导体激光器、起偏器、LN 晶体、检偏器、光电二极管探头 顺序排列。 11) 将驱动信号波形插座和接受信号波形插座分别与双踪示波器 CH1 和 CH2 通道连接,光电二极管探头与信号输入插座连接。 12) 将状态开关置于正弦波位置,幅度调节钮旋至最大。 13) 示波器置于双踪同时显示,以驱动信号波形为触发信号,正弦波频率约 为 1KHZ。旋转电压调节旋钮改变静态工作点,观察示波器上的波形变 化。将直流偏置电压调至二分之一半波电压附近,此时调制后输出的光 脉冲幅度最大且失真最小,记录示波器显示的驱动信号波形和调制光波 形。 记录数据 LV 晶体驱动电压与系统输出光功率 电压(V) 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 光功率 P 电压(V) 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 光功率 P 电压(V) 1000 1050 1100 1150 1200 1250 1300 1350 1400 光功率 P 数据: Pmin= Pmax= Po= 数据处理: 1) 利用表格数据作出 LN 晶体驱动电压与输出功率的对应曲线 2) 计算系统的消光比 M、透过率 T 和半波电压Vλ 2 [思考题] 1. 在实际的电光调制器中,引入四分之一波片的作用是什么? 2. 你测量出的晶体半波电压数量级是多少?在制作电光晶体调制器选择晶体 种类时,挑选半波电压数值大的晶体材料好还是挑选半波电压小的材料好? 为什么? 10

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