72=0.7R2C (3)电路振荡周期T 7=Ti+72=0.7(R1+2R)C (4)电路振荡频率∫ 143 T(R1+2R2)C (5)输出波形占空比q 定义:q=T,即脉冲宽度与脉冲周期之比,称为占空比。 0.7(R1+R2)C 0.7(R1+2R2)C R1+R2 R1+2R 占空比可调的多谐振荡器电路 在图83-1所示电路中,由于电容C的充电时间常数r1=(R1+R2)C,放电时间常 数τ2=R2C,所以η总是大于T,wo的波形不仅不可能对称,而且占空比q不易调节。 利用半导体二极管的单向导电特性,把电容C充电和放电回路隔离开来,再加上一个电 位器,便可构成占空比可调的多谐振荡器,如图832所示。 R2<∠D 图8.3-2占空比可调的多谐振荡器 由于二极管的引导作用,电容C的充电时间常数r1=R1C,放电时间常数r2=RC8 T2 = 0.7R2C （3）电路振荡周期 T T=T1+T2=0.7(R1+2R2)C （4）电路振荡频率 f T R R C f ( 2 ) 1 1.43 1 + 2 =  （5）输出波形占空比 q 定义：q=T1/T，即脉冲宽度与脉冲周期之比，称为占空比。 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 0.7( 2 ) 0.7( ) R R R R R R C R R C T T q + + = + + = = 二． 占空比可调的多谐振荡器电路 在图 8.3—1 所示电路中，由于电容 C 的充电时间常数τ1=（R1+R2）C，放电时间常 数τ2=R2C，所以 T1 总是大于 T2，vO 的波形不仅不可能对称，而且占空比 q 不易调节。 利用半导体二极管的单向导电特性，把电容 C 充电和放电回路隔离开来，再加上一个电 位器，便可构成占空比可调的多谐振荡器，如图 8.3.2 所示。 μF vI1 8 CC 3 1 V 555 0.01 5 C R O D 4 2 7 V v I2 6 v CC C1 vC D D1 2 R1 R2 图 8.3—2 占空比可调的多谐振荡器 由于二极管的引导作用，电容 C 的充电时间常数τ1=R1C，放电时间常数τ2=R2C