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《数字电子技术》课程教学资源(教案讲义,第四版)第八章 脉冲波形的产生与整形

资源类别:文库,文档格式:DOC,文档页数:20,文件大小:468.5KB,团购合买
在数字电路或系统中,常常需要各种脉冲波形,例如时钟脉冲、控制过程的定时信 号等。这些脉冲波形的获取,通常采用两种方法:一种是利用脉冲信号产生器直接产 生;另一种则是通过对已有信号进行变换,使之满足系统的要求。 本章以中规模集成电路555定时器为典型电路,主要讨论555定时器构成的施密 特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器以及555定时器的典型应用。
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第八章脉冲波形的产生与整形 在数字电路或系统中,常常需要各种脉冲波形,例如时钟脉冲、控制过程的定时信 号等。这些脉冲波形的获取,通常采用两种方法:一种是利用脉冲信号产生器直接产生 另一种则是通过对已有信号进行变换,使之满足系统的要求。 本章以中规模集成电路555定时器为典型电路主要讨论555定时器构成的施密特 触发器、单稳态触发器、多谐振荡器以及555定时器的典型应用。 81集成555定时器 55定时器是一种多用途的单片中规模集成电路。该电路使用灵活、方便,只需外 接少量的阻容元件就可以构成单稳、多谐和施密特触发器。因而在波形的产生与变换 测量与控制、家用电器和电子玩具等许多领域中都得到了广泛的应用 目前生产的定时器有双极型和CMOS两种类型,其型号分别有NE555(或5G555 和C7555等多种。通常,双极型产品型号最后的三位数码都是55,CMOS产品型号的 最后四位数码都是7555,它们的结构、工作原理以及外部引脚排列基本相同。 般双极型定时器具有较大的驱动能力,而CMOS定时电路具有低功耗、输入阻抗 高等优点。555定时器工作的电源电压很宽,并可承受较大的负载电流。双极型定时器 电源电压范围为5~16V,最大负载电流可达200mA:CMOS定时器电源电压变化范围 为3~18V,最大负载电流在4mA以下 555定时器的电路结构与工作原理 1.555定时器内部结构 (1)由三个阻值为5k9的电阻组成的分压器 (2)两个电压比较器C1和C2: v+3la,m2>la时,比较器C1输出低电平,C2输出高电平,基本RS

第八章 脉冲波形的产生与整形 在数字电路或系统中,常常需要各种脉冲波形,例如时钟脉冲、控制过程的定时信 号等。这些脉冲波形的获取,通常采用两种方法:一种是利用脉冲信号产生器直接产生; 另一种则是通过对已有信号进行变换,使之满足系统的要求。 本章以中规模集成电路 555 定时器为典型电路,主要讨论 555 定时器构成的施密特 触发器、单稳态触发器、多谐振荡器以及 555 定时器的典型应用。 8.1 集成 555 定时器 555 定时器是一种多用途的单片中规模集成电路。该电路使用灵活、方便,只需外 接少量的阻容元件就可以构成单稳、多谐和施密特触发器。因而在波形的产生与变换、 测量与控制、家用电器和电子玩具等许多领域中都得到了广泛的应用。 目前生产的定时器有双极型和 CMOS 两种类型,其型号分别有 NE555(或 5G555) 和 C7555 等多种。通常,双极型产品型号最后的三位数码都是 555,CMOS 产品型号的 最后四位数码都是 7555,它们的结构、工作原理以及外部引脚排列基本相同。 一般双极型定时器具有较大的驱动能力,而 CMOS 定时电路具有低功耗、输入阻抗 高等优点。555 定时器工作的电源电压很宽,并可承受较大的负载电流。双极型定时器 电源电压范围为 5~16V,最大负载电流可达 200mA;CMOS 定时器电源电压变化范围 为 3~18V,最大负载电流在 4mA 以下。 一. 555 定时器的电路结构与工作原理 1.555 定时器内部结构: (1)由三个阻值为 5kΩ的电阻组成的分压器; (2)两个电压比较器 C1 和 C2: v+>v-,vo=1; v+<v-,vo=0。 (3)基本 RS 触发器; (4)放电三极管 T 及缓冲器 G。 2.工作原理。 当 5 脚悬空时,比较器 C1 和 C2 的比较电压分别为 Vcc 3 2 和 Vcc 3 1 。 (1)当 vI1> Vcc 3 2 ,vI2> Vcc 3 1 时,比较器 C1 输出低电平,C2 输出高电平,基本 RS

触发器被置0,放电三极管T导通,输出端ν为低电平。 (2)当wr2时,比较器C1输出高电平,C也输出高电平,即基本 (3)当w1三V。)时,定时器输出低电平,因此也将该端称 为高触发端(TH)。 因为触发输入端(m2)为低电平(<1v)时,定时器输出高电平,因此也将该端称 为低触发端(TL)。 如果在电压控制端(5脚)施加一个外加电压(其值在0~Vc之间),比较器的参 考电压将发生变化,电路相应的阈值、触发电平也将随之变化,并进而影响电路的工作 状态 另外,Rb为复位输入端,当R为低电平时,不管其他输入端的状态如何,输出v

2 触发器被置 0,放电三极管 T 导通,输出端 vO 为低电平。 (2)当 vI1 Vcc 3 1 时,比较器 C1 输出高电平,C2 也输出高电平,即基本 RS 触发器 R=1,S=1,触发器状态不变,电路亦保持原状态不变。 C C & & & 1 R S T G 5kΩ 5kΩ 5kΩ 1 2 V R v v v C C D IC I1 I2 O O v , (1) (7) (2) (6) (5) (8) (4) (3) 电源 复位 1 2 6 5 8 4 3 7 O v , vI2 v vI1 vIC VC C vO 555 (a) (b) RD 阈值输入 控制电压 触发输入 放电端 图 8.1—1 555 定时器的电气原理图和电路符号 (a)原理图 (b)电路符号 由于阈值输入端(vI1) 为高电平(> Vcc 3 2 )时,定时器输出低电平,因此也将该端称 为高触发端(TH)。 因为触发输入端(vI2)为低电平(< Vcc 3 1 )时,定时器输出高电平,因此也将该端称 为低触发端(TL)。 如果在电压控制端(5 脚)施加一个外加电压(其值在 0~VCC 之间),比较器的参 考电压将发生变化,电路相应的阈值、触发电平也将随之变化,并进而影响电路的工作 状态。 另外,RD 为复位输入端,当 RD 为低电平时,不管其他输入端的状态如何,输出 vo

为低电平,即Rb的控制级别最高。正常工作时,一般应将其接高电平。 555定时器的功能表 表81-1555定时器功能表 阈值输入(m)触发输入(2)复位(R) 输出(vo)放电管T 导通 1 截止 0 <二V 不变 不变 82施密特触发器 施密特触发器—員有回差电压特性,能将边沿变化缓慢的电压波形整形为边沿陡 峭的矩飛脉冲。 用555定时器构成的施密特触发器 电路组成及工作原理 (a)电路图 (b)波形图 图82-1555定时器构成的施密特触发器 (1)w=0V时,v输出高电平 (2)当η上升到三时,w输出低电平。当η由三l继续上升,wo保持不变

3 为低电平,即 RD 的控制级别最高。正常工作时,一般应将其接高电平。 二.555 定时器的功能表 表 8.1—1 555 定时器功能表 阈值输入(vI1) 触发输入(vI2) 复位(RD) 输出(vO) 放电管 T × × 0 0 导通 Vcc 3 2 > Vcc 3 1 1 0 导通 Vcc 3 1 1 不变 不变 8.2 施密特触发器 施密特触发器——具有回差电压特性,能将边沿变化缓慢的电压波形整形为边沿陡 峭的矩形脉冲。 一. 用 555 定时器构成的施密特触发器 1. 电路组成及工作原理 1 2 6 5 VC C RD 555 3 O O 7 v v v I2 vI1 IC 8 4 1 2 I v VC C VC C2 R t t vI vO1 2 3 VC C C C 1 V 3 (a)电路图 (b)波形图 v 图 8.2—1 555 定时器构成的施密特触发器 (1) vI =0V 时,vo1 输出高电平。 (2)当 vI上升到 Vcc 3 2 时,vo1 输出低电平。当 vI由 Vcc 3 2 继续上升,vo1 保持不变

(3)当n下降到时,电路输出跳变为高电平。而且在n继续下降到0V时 电路的这种状态不 图中,R、Vc2构成另一输出端v2,其高电平可以通过改变co进行调节。 2.电压滞回特性和主要参数 电压滞回特性 (a)电路符号 (b)电压传输特性 图82—2施密特触发器的电路符号和电压传输特性 主要静态参数 (1)上限阈值电压V-—w上升过程中,输出电压v由高电平oH跳变到低电 平Vo1时,所对应的输入电压值。r=-V (2)下限阈值电压VrⅥ下降过程中,1o由低电平Vo跳变到高电平VoH时, 所对应的输入电压值。=Va (3)回差电压△r 回差电压又叫滞回电压,定义为 A=r+-13c 若在电压控制端Vc(5脚)外加电压Is,则将有+=Vs、-=s2、4Vr=s2, 而且当改变Vs时,它们的值也随之改变 二.集成施密特触发器 施密特触发器可以由555定时器构成,也可以用分立元件和集成门电路组成。因为 这种电路应用十分广泛,所以市场上有专门的集成电路产品出售,称之为施密特触发门 电路。集成施密特触发器性能的一致性好,触发阈值稳定,使用方便 1.CMOS集成施密特触发器

4 (3)当 vI下降到 Vcc 3 1 时,电路输出跳变为高电平。而且在 vI继续下降到 0V 时, 电路的这种状态不变。 图中,R、VCC2 构成另一输出端 vo2,其高电平可以通过改变 VCC2 进行调节。 2. 电压滞回特性和主要参数 电压滞回特性 v V V I o OH OL V V V v CC CC CC 1 3 2 3 0 I v vo (a)电路符号 (b)电压传输特性 图 8.2—2 施密特触发器的电路符号和电压传输特性 主要静态参数 (1) 上限阈值电压 VT+——vI上升过程中,输出电压 vO 由高电平 VOH 跳变到低电 平 VOL 时,所对应的输入电压值。VT+= Vcc 3 2 。 (2)下限阈值电压 VT———vI 下降过程中, vO 由低电平 VOL 跳变到高电平 VOH 时, 所对应的输入电压值。VT—= Vcc 3 1 。 (3)回差电压ΔVT 回差电压又叫滞回电压,定义为 ΔVT= VT+-VT— = Vcc 3 1 若在电压控制端 VIC(5 脚)外加电压 VS,则将有 VT+=VS、VT—=VS/2、ΔVT= VS/2, 而且当改变 VS时,它们的值也随之改变。 二. 集成施密特触发器 施密特触发器可以由 555 定时器构成,也可以用分立元件和集成门电路组成。因为 这种电路应用十分广泛,所以市场上有专门的集成电路产品出售,称之为施密特触发门 电路。集成施密特触发器性能的一致性好,触发阈值稳定,使用方便。 1. CMOS 集成施密特触发器

图8.2—3(a)是CMOS集成施密特触发器CC40106(六反相器)的引线功能图, 表82-1所示是其主要静态参数 LAO 2A O 1四 2Y0-4 5y 2Yo-4 3A O 画 (a)CC40106 (b)74LS14 图82一3集成施密特触发器CC40106和74LS14外引线功能图 表82-1集成施密特触发器CC40106的主要静态参数 电源电压ⅤDDⅤr最小值Ⅴr+最大值Ⅴr-最小值Vr-最大值4最小值A阡最小值单位 3.6 4.6 7.1 3.4 1.6 5 2.TIL集成施密特触发器 图82-3(b)所示是TIL集成施密特触发器74LS14外引线功能图,其几个主要参 数的典型值如表82-2所示。 TIL施密特触发与非门和缓冲器具有以下特点 (1)输入信号边沿的变化即使非常缓慢,电路也能正常工作。 (2)对于阈值电压和滞回电压均有温度补偿 (3)带负载能力和抗干扰能力都很强。 表82—2TIL集成施密特触发器几个主要参数的典型值 器件型号延迟时间(ns)每门功耗(mW)Vr+(V)Vr-(V)4r(V) 74LS14 74LS132 1.6 74LS13 8.75 0.8 0.8

5 图 8.2—3(a)是 CMOS 集成施密特触发器 CC40106(六反相器)的引线功能图, 表 8.2—1 所示是其主要静态参数。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y V V DD S S 2Y 2A 1 6 2 5 1Y GND 7 3Y 1A 3 4 3A V 9 12 C C 13 6Y 11 10 6A 4A 8 5Y 5A 4Y 14 (a) CC40106 (b)74LS14 图 8.2—3 集成施密特触发器 CC40106 和 74LS14 外引线功能图 表 8.2—1 集成施密特触发器 CC40106 的主要静态参数 电源电压 VDD VT+最小值 VT+最大值 VT-最小值 VT-最大值 ΔVT 最小值 ΔVT 最小值 单位 5 2.2 3.6 0.9 2.8 0.3 1.6 V 10 4.6 7.1 2.5 5.2 1.2 3.4 V 15 6.8 10.8 4 7.4 1.6 5 V 2. TTL 集成施密特触发器 图 8.2—3(b)所示是 TTL 集成施密特触发器 74LS14 外引线功能图,其几个主要参 数的典型值如表 8.2—2 所示。 TTL 施密特触发与非门和缓冲器具有以下特点: (1)输入信号边沿的变化即使非常缓慢,电路也能正常工作。 (2)对于阈值电压和滞回电压均有温度补偿。 (3)带负载能力和抗干扰能力都很强。 表 8.2—2 TTL 集成施密特触发器几个主要参数的典型值 器件型号 延迟时间(ns) 每门功耗(mW) VT+(V) VT-(V) ΔVT(V) 74LS14 15 8.6 1.6 0.8 0.8 74LS132 15 8.8 1.6 0.8 0.8 74LS13 16.5 8.75 1.6 0.8 0.8

集成施密特触发器不仅可以做成单输入端反相缓冲器形式,还可以做成多输入端与 非门形式,如CMOS四2输入与非门CC4093,TL四2输入与非门74LS132和双4输 入与非门74LS13等 三.施密特触发器的应用举例 1.用作接口电路—一将缓慢变化的输入信号,转换成为符合TIL系统要求的脉冲 波形。 2.用作整形电路一一把不规则的输入信号整形成为矩形脉冲 [口 MOS 输入 正弦波 振荡器 输出 图82-4慢输入波形的T∏L系统接口 图82-5脉冲整形电路的输入输出波形 3.用于脉冲鉴幅一—将幅值大于Vr的脉冲选出 图82-6用施密特触发器鉴别脉冲幅度 83多谐振荡器 多谐振荡器—产生矩形脉冲波的自激振荡器

6 集成施密特触发器不仅可以做成单输入端反相缓冲器形式,还可以做成多输入端与 非门形式,如 CMOS 四 2 输入与非门 CC4093,TTL 四 2 输入与非门 74LS132 和双 4 输 入与非门 74LS13 等。 三. 施密特触发器的应用举例 1. 用作接口电路——将缓慢变化的输入信号,转换成为符合 TTL 系统要求的脉冲 波形。 2. 用作整形电路——把不规则的输入信号整形成为矩形脉冲。 MOS 1 CMOS 正弦波 1 振荡器 输入 输出 V V T + T - 图 8.2—4 慢输入波形的 TTL 系统接口 图 8.2—5 脉冲整形电路的输入输出波形 3. 用于脉冲鉴幅——将幅值大于 VT+的脉冲选出。 0 0 V V I O VI VO V V T + T - t t 1 图 8.2—6 用施密特触发器鉴别脉冲幅度 8.3 多谐振荡器 多谐振荡器——产生矩形脉冲波的自激振荡器

多谐振荡器一旦起振之后,电路没有稳态,只有两个暂稳态,它们做交替变化,输 出连续的矩形脉冲信号,因此它又称作无稳态电路,常用来做脉冲信号源。 用555定时器构成的多谐振荡器 1.电路组成及工作原理 图83-1用施密特触发器构成的多谐振荡器 2.振荡频率的估算 (1)电容充电时间T1。电容充电时,时间常数r1=(R1+R2)C,起始值v(0) Ⅳa,终了值(∞)=c,转换值v()=Ⅳ,带入RC过渡过程计算公式进 In v(∞)-vc(T1) =G, In T, In 2 0.7(R1+R2)C (2)电容放电时间T2 电容放电时,时间常数r2=R2C,起始值vc(0)=Ia,终了值v(∞)=0,转 换值(72)=1v,带入RC过渡过程计算公式进行计算:

7 多谐振荡器一旦起振之后,电路没有稳态,只有两个暂稳态,它们做交替变化,输 出连续的矩形脉冲信号,因此它又称作无稳态电路,常用来做脉冲信号源。 一. 用 555 定时器构成的多谐振荡器 1. 电路组成及工作原理 2 6 VC C RD O 555 3 vI2 vI1 8 4 (a) (b) v 7 R R VC C 1 2 C 1 5 0.01μF C1 vC P 2 1 C 3 V VC C v C C 3 t vO t O O t t t VC C 0 1 2 T T T 1 2 0 图 8.3—1 用施密特触发器构成的多谐振荡器 2. 振荡频率的估算 (1)电容充电时间 T1。电容充电时,时间常数τ1=(R1+R2)C,起始值 vC(0 +) = Vcc 3 1 ,终了值 vC(∞)=VCC,转换值 vC(T1)= Vcc 3 2 ,带入 RC 过渡过程计算公式进 行计算: R R C V V V V v v T v v T CC CC CC CC C C C C 0.7( ) ln 2 3 2 3 1 ln ( ) ( ) ( ) (0 ) ln 1 2 1 1 1 1 1 = + = − − =  −  − = +    (2) 电容放电时间 T2 电容放电时,时间常数τ2=R2C,起始值 vC(0 +)= Vcc 3 2 ,终了值 vC(∞)=0,转 换值 vC(T2)= Vcc 3 1 ,带入 RC 过渡过程计算公式进行计算:

72=0.7R2C (3)电路振荡周期T 7=Ti+72=0.7(R1+2R)C (4)电路振荡频率∫ 143 T(R1+2R2)C (5)输出波形占空比q 定义:q=T,即脉冲宽度与脉冲周期之比,称为占空比。 0.7(R1+R2)C 0.7(R1+2R2)C R1+R2 R1+2R 占空比可调的多谐振荡器电路 在图83-1所示电路中,由于电容C的充电时间常数r1=(R1+R2)C,放电时间常 数τ2=R2C,所以η总是大于T,wo的波形不仅不可能对称,而且占空比q不易调节。 利用半导体二极管的单向导电特性,把电容C充电和放电回路隔离开来,再加上一个电 位器,便可构成占空比可调的多谐振荡器,如图832所示。 R2<∠D 图8.3-2占空比可调的多谐振荡器 由于二极管的引导作用,电容C的充电时间常数r1=R1C,放电时间常数r2=RC

8 T2 = 0.7R2C (3)电路振荡周期 T T=T1+T2=0.7(R1+2R2)C (4)电路振荡频率 f T R R C f ( 2 ) 1 1.43 1 + 2 =  (5)输出波形占空比 q 定义:q=T1/T,即脉冲宽度与脉冲周期之比,称为占空比。 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 0.7( 2 ) 0.7( ) R R R R R R C R R C T T q + + = + + = = 二. 占空比可调的多谐振荡器电路 在图 8.3—1 所示电路中,由于电容 C 的充电时间常数τ1=(R1+R2)C,放电时间常 数τ2=R2C,所以 T1 总是大于 T2,vO 的波形不仅不可能对称,而且占空比 q 不易调节。 利用半导体二极管的单向导电特性,把电容 C 充电和放电回路隔离开来,再加上一个电 位器,便可构成占空比可调的多谐振荡器,如图 8.3.2 所示。 μF vI1 8 CC 3 1 V 555 0.01 5 C R O D 4 2 7 V v I2 6 v CC C1 vC D D1 2 R1 R2 图 8.3—2 占空比可调的多谐振荡器 由于二极管的引导作用,电容 C 的充电时间常数τ1=R1C,放电时间常数τ2=R2C

通过与上面相同的分析计算过程可得 T1=0.7R1C T2=0.7R2C 占空比:q=互 0.7R1C TT1+7207RC+0.7R2C R只要改变电位器滑动端的位 置,就可以方便地调节占空比q,当R1=R2时,q=0.5,vo就成为对称的矩形波。 三.石英晶体多谐振荡器 在许多数字系统中,都要求时钟脉冲频率十分稳定,例如在数字钟表里,计数脉冲 频率的稳定性,就直接决定着计时的精度。在上面介绍的多谐振荡器中,由于其工作频 率取决于电容C充、放电过程中,电压到达转换值的时间,因此稳定度不够高。这是因 为第一,转换电平易受温度变化和电源波动的影响:第二,电路的工作方式易受干扰 从而使电路状态转换提前或滞后:第三,电路状态转换时,电容充、放电的过程已经比 较缓慢,转换电平的微小变化或者干扰,对振荡周期影响都比较大。一般在对振荡器频 率稳定度要求很高的场合,都需要采取稳频措施,其中最常用的一种方法,就是利用石 英谐振器一简称石英晶体或晶体,构成石英晶体多谐振荡器 1.石英晶体的选频特性 有两个谐振频率。当戶时,为串联谐振,石英晶体的电抗X=( 当戶G时,为并联谐振,石英晶体的电抗无穷大 由晶体本身的特性决定:≈f≈后(晶体的标称频率) 石英晶体的选频特性极好,后十分稳定,其稳定度可达10-∞10 电感性 Ssii p 电容性 石英晶体的符号 图8.3—3石英晶体的电抗频率特性和符号 2.石英晶体多谐振荡器 (1)串联式振荡器 R1、R的作用—使两个反相器在静态时都工作在转折区,成为具有很强放大能力 的放大电路

9 通过与上面相同的分析计算过程可得 T1=0.7R1C T2=0.7R2C 占空比: 1 2 1 1 2 1 1 2 1 1 0.7 0.7 0.7 R R R R C R C R C T T T T T q + = + = + = = 只要改变电位器滑动端的位 置,就可以方便地调节占空比 q,当 R1=R2 时,q=0.5,vO 就成为对称的矩形波。 三. 石英晶体多谐振荡器 在许多数字系统中,都要求时钟脉冲频率十分稳定,例如在数字钟表里,计数脉冲 频率的稳定性,就直接决定着计时的精度。在上面介绍的多谐振荡器中,由于其工作频 率取决于电容 C 充、放电过程中,电压到达转换值的时间,因此稳定度不够高。这是因 为第一,转换电平易受温度变化和电源波动的影响;第二,电路的工作方式易受干扰, 从而使电路状态转换提前或滞后;第三,电路状态转换时,电容充、放电的过程已经比 较缓慢,转换电平的微小变化或者干扰,对振荡周期影响都比较大。一般在对振荡器频 率稳定度要求很高的场合,都需要采取稳频措施,其中最常用的一种方法,就是利用石 英谐振器—简称石英晶体或晶体,构成石英晶体多谐振荡器。 1.石英晶体的选频特性 有两个谐振频率。当f=fs时,为串联谐振,石英晶体的电抗X=0; 当f=fp时,为并联谐振,石英晶体的电抗无穷大。 由晶体本身的特性决定: fs≈ fp≈ f0(晶体的标称频率) 石英晶体的选频特性极好,f0 十分稳定,其稳定度可达 10-10~10-11。 图 8.3—3 石英晶体的电抗频率特性和符号 2. 石英晶体多谐振荡器 (1)串联式振荡器 R1、R2的作用——使两个反相器在静态时都工作在转折区,成为具有很强放大能力 的放大电路

对于TL门,常取R1=R2=07~2kΩ,若是CMOS门则常取R1=R2=10~100M9;C1=C2 是耦合电容 石英晶体工作在串联谐振频率下,只有频率为后的信号才能通过,满足振荡 条件。因此,电路的振荡频率=,与外接元件R、C无关,所以这种电路振荡频率的稳 定度很高。 C 图83-4石英晶体多谐振荡器 (2)并联式振荡器 R是偏置电阻,保证在静态时使G1工作转折区,构成一个反相放大器 晶体工作在与∮之间,等效一电感,与C1、C2共同构成电容三点式振荡电路。电 路的振荡频率=。 反相器G2起整形缓冲作用,同时G2还可以隔离负载对振荡电路工作的影响。 RE 1OMQ 图8.3-5CM0s石英晶体多谐振荡器 四.多谐振荡器应用实例 1.简易温控报警器 图83-6是利用多谐振荡器构成的简易温控报警电路,利用555构成可控音频振荡 电路,用扬声器发声报警,可用于火警或热水温度报警,电路简单、调试方便。 图中晶体管T可选用锗管3AX313AX81或3AG类,也可选用3DU型光敏管。3AX31

10 对于TTL门,常取R1=R2=0.7~2kΩ,若是CMOS门则常取R1=R2=10~100MΩ;C1=C2 是耦合电容。 石英晶体工作在串联谐振频率 f0 下,只有频率为 f0 的信号才能通过,满足振荡 条件。因此,电路的振荡频率= f0,与外接元件 R、C 无关,所以这种电路振荡频率的稳 定度很高。 1 1 R R C C 1 1 2 2 vO 图 8.3—4 石英晶体多谐振荡器 (2)并联式振荡器 RF是偏置电阻,保证在静态时使G1工作转折区,构成一个反相放大器。 晶体工作在fS与 fP之间,等效一电感,与C1、C2共同构成电容三点式振荡电路。电 路的振荡频率= f0。 反相器G2起整形缓冲作用,同时G2还可以隔离负载对振荡电路工作的影响。 1 R 1 G G C C1 1 2 2 20pF 5~50pF vO F 10ΜΩ 图 8.3—5 CMOS 石英晶体多谐振荡器 四.多谐振荡器应用实例 1. 简易温控报警器 图 8.3—6 是利用多谐振荡器构成的简易温控报警电路,利用 555 构成可控音频振荡 电路,用扬声器发声报警,可用于火警或热水温度报警,电路简单、调试方便。 图中晶体管T可选用锗管3AX31、3AX81 或3AG类,也可选用3DU型光敏管。3AX31

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