§3.2绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 MOSFET。分为: 增强型→>N沟道、P沟道 源极S栅极g漏极d 耗尽型→>N沟道、P沟道 N沟道增强型MOS管 结构 N n+ 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和衬底B P衬底 2.工作原理 ①栅源电压s的控制作用 衬底b 当s=0V时,管子截止。§3.2绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 MOSFET。分为： 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和衬底B - - - - g s d b - - - - N + N + P衬 底 s g d b 源 极 栅 极 漏 极 ①栅源电压uGS的控制作用 衬 底 2.工作原理 当uGS=0V时，管子截止