《模拟电路》精品课程课件 第3章场效应与基本放大电路 §3.1结型场效应管 §3.2绝缘栅场效应管 §3.3场效应管的主要参数、 特点及使用注意事项
《模拟电路》精品课程课件 第3章 场效应与基本放大电路 §3.1 结型场效应管 §3.2 绝缘栅场效应管 §3.3 场效应管的主要参数、 特点及使用注意事项
第3章场效应与基本放大电路 §3.1结型场效应管 学习目标:1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原 理、主要参数和应用 ●学习重点:1. MOSFET管的结构特点 2.结型场效应三极管的特性曲线
第3章 场效应与基本放大电路 §3.1 结型场效应管 学习目标：1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原 理、主要参数和应用 学习重点：1. MOSFET管的结构特点 2.结型场效应三极管的特性曲线
§3.1结型场效应管 一、结型场效应管的结构(以N沟为例)最极d 两个PN结夹着一个N型沟道 个电极 g:栅极 d:漏极 符号 s:源极 栅槌g g d S N沟道 P沟道 源极S
§3.1 结型场效应管 一、结型场效应管的结构（以N沟为例） 两个PN结夹着一个N型沟道。 三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 - - - p+ p+ 漏 极d 源 极s 栅 极g N - - - g s d N沟道 - - - g d s P沟道 符号：
§3.1结型场效应管 、结型场效应管的工作原理 1.栅源电压对沟道的控制作用 d 在栅源间加负电压us,令bs=0 ①当us=0时,导电沟道最宽。 ②当|vs|↑时,沟道电阻增大。 g ③当|us|↑到一定值时,沟道会 完全合拢。 夹断电压——使导电沟道完全合 拢(消失)所需要的栅源电压lks
N G G g + s d p V p+ §3.1 结型场效应管 二、结型场效应管的工作原理 1.栅源电压对沟道的控制作用 夹断电压UP——使导电沟道完全合 拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会 完全合拢
§3.1结型场效应管 2.漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压bs,令us=0 ①当lhs=0时,b=0 ②s↑→i↑→沟道变窄 ③当hs↑,使u=4s-ls=l时,预 DD 夹断。 p ④v再↑,预夹断点下移。 预夹断前 预夹断后,is↑→i几乎不变
§3.1 结型场效应管 2 .漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑→沟道变窄 ③当uDS ↑,使uGD =uGS- uDS =UP时，预 夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 s i d g V d D D p+ p+ 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， iDS↑→iD 几乎不变
§3.1结型场效应管 三、结型场效应三极管的特性曲线 1.输出特性曲线:i=f(bs)G=常数 iD(mA) GS OV g GS Iv GS=-2V GS=-3V S
§3.1 结型场效应管 三、 结型场效应三极管的特性曲线 1 .输出特性曲线： iD =f（ uDS ）│uGS=常数 s g V d D D d i G G V p+ p+ u =-3V D S GS u GS u =-1V u uGS (mA) =-2V D i GS uGS =0V =0V uGS=-1V
§3.1结型场效应管 输出特性曲线分为四个区 恒流区 (a)可变电阻区(预夹断前) D(mA) (b)恒流区(预夹断后)可变电阻 GS=OV △iD=n△us vGs=/v1击穿区 (放大原理) 2V (c)夹断区(截止区) GS=-3V (d)击穿区 DS 截止区
§3.1 结型场效应管 输出特性曲线分为四个区： （a）可变电阻区（预夹断前) △ iD = gm △ uGS （放大原理） （b）恒流区（预夹断后) （c）夹断区（截止区） （d）击穿区 u =-3V D S GS u GS u =-1V u uGS (mA) =-2V D i GS =0V 可变电阻 区 恒流区 击穿区 截止区
§3.1结型场效应管 2.转移特性曲线:if(us)|us=常数 例:作∽s=10V的一条转移特性曲线。 D(mA) ID(mA) l uGs=OV 4 IV 2V GS S(V) 10V 4-3-2-10 14|返回
§3.1 结型场效应管 2.转移特性曲线： iD =f（ uGS ）│uDS =常数 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线。 u uGS=0V u 0 u (mA) 1 u =-3V D - 3 - 1 3 10V D S 2 (mA) (V) G S 2 1 - 4 4 i u =-1V D - 2 GS GS GS 4 i (V) 3 =-2V 返回
第3章场效应与基本放大电路 §3.2绝缘栅场效应管 ●学习目标:1.熟悉N沟道增强型MOS管的结 构和符号、工作原理 2.了解N沟道耗尽型 MOSFET的特点 ●学习重点:绝缘栅场效应管的结构特点
第3章 场效应与基本放大电路 §3.2 绝缘栅场效应管 学习目标：1.熟悉N沟道增强型MOS管的结 构和符号、工作原理 2.了解N沟道耗尽型MOSFET的特点 学习重点：绝缘栅场效应管的结构特点
§3.2绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 MOSFET。分为: 增强型→>N沟道、P沟道 源极S栅极g漏极d 耗尽型→>N沟道、P沟道 N沟道增强型MOS管 结构 N n+ 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和衬底B P衬底 2.工作原理 ①栅源电压s的控制作用 衬底b 当s=0V时,管子截止
§3.2绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 MOSFET。分为： 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和衬底B - - - - g s d b - - - - N + N + P衬 底 s g d b 源 极 栅 极 漏 极 ①栅源电压uGS的控制作用 衬 底 2.工作原理 当uGS=0V时，管子截止