《模拟电路》精品课程课件 第2章半导体三极管及其基本放大电路 §2.1三极管的结构和放大 §2.2共射放大电路的组成与静态分析 §23放大电路动态分析 §24共集电极和共基极电路
《模拟电路》精品课程课件 第2章 半导体三极管及其基本放大电路 §2.1 三极管的结构和放大 §2.2 共射放大电路的组成与静态分析 §2.3 放大电路动态分析 §2.4 共集电极和共基极电路
第二章半导体三极管及其基本放大电路 §2.1三极管的结构和放大 ●学习目标:1.了解三极管的基本结构,熟悉其放 大原理 2掌握三极管电流分配关系,熟悉其 输入、输出特性 ●学习重点:1.三极管的电流分配关系和放大原理 2.三极管的输出特性曲线和基本参数
§2.1 三极管的结构和放大 学习目标：1.了解三极管的基本结构，熟 悉其放 大原理 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其 输入、输出特性 学习重点：1.三极管的电流分配关系和放大原理 2.三极管的输出特性曲线和基本参数 第二章 半导体三极管及其基本放大电路
§2.1三极管的结构和放大 、三极管的结构和符号 H生+管由两个P集电极,用C或c 发射却 表示 L ε两种类型的二极官 三极管符号三极管的结构特点 (1)发射区的掺杂浓度>>集电区掺杂浓度。 (2)基区要制造得很薄且浓度很低
半导体三极管由两个PN结构成。类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 §2.1 三极管的结构和放大 一、三极管的结构和符号 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低
§2.1三极管的结构和放大 二、三极管的放大作用 1.基本连接方式 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路
二、三极管的放大作用 §2.1 三极管的结构和放大 1.基本连接方式 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路 b e c e c e b e b e c e
§2.1三极管的结构和放大 2.放大条件 内部条件:①发射区杂质浓度>>基区>>集电区 ②基区很薄 外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置 HmA H A C CE B BE CCZ BB 三极管基本放大电路
§2.1 三极管的结构和放大 2.放大条件 IC IB R B U BB U CC R C V V μ A mA + U CE － + U BE － 三极管基本放大电路 内部条件：①发射区杂质浓度>>基区>>集电区 ②基区很薄 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
§2.1三极管的结构和放大 3.内部载流子的运动规律 发射区:发射载流子 0自 集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子 (以NPN为例) ↑ I F=IB+IO
3.内部载流子的运动规律 §2.1 三极管的结构和放大 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例）
§2.1三极管的结构和放大 4.电流分配关系 ips igt ig 5电流放大关系 β=△Ic/△IB 电流放大作用一—基极电流较小的变化引 起集电极电流较大的变化,即小量控制大量的 作用
4.电流分配关系 E i B i C ＝ ＋ i 5.电流放大关系 =△IC /△IB 电流放大作用——基极电流较小的变化引 起集电极电流较大的变化，即小量控制大量的 作用。 §2.1 三极管的结构和放大
§2.1三极管的结构和放大 、三极管的特性曲线 输入特性曲线 Ic UA 80 Ro CE Uc CE ucE=OV R B LUBE Ucc UBB 测量三极管特性的实验电路 0.20.40.60.8 BE (1)ucE=0V时,相当于两个PN结并联。 (2)当uc=1V时,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,所以基 区复合减少,在同一g电压下,i减小。特性曲线将向右稍微移 动一些 (3)cg≥1Ⅴ再增加时,曲线右移很不明显
三、三极管的特性曲线 １、输入特性曲线 §2.1 三极管的结构和放大 0.2 0.4 i (V) (uA) B E 80 40 0.6 0.8 B u u CE =0V u CE ＞ 1V （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基 区复合减少，在同一uBE电压下，iB减小。特性曲线将向右稍微移 动一些
§2.1三极管的结构和放大 2、输出特性曲线 (1)放大区:发射极正向偏置,集 i c/mA 电结反向偏置a=B 饱和区 (2)截止区:发射结反向偏置,集 lB2=80μA 电结反向偏置i≤0,in≈0 放大区 40A 3)饱和区:发射结正向偏置,集 电结正向偏置 ln=0截止区 0 LEe/v >0,uBE>0,uCE≤uBE 输出特性曲线 ic≠
２、输出特性曲线 （2）截止区：发射结反向偏置，集 电结反向偏置 i B 0,i C 0 （3）饱和区：发射结正向偏置，集 电结正向偏置 B uBE uCE uBE i 0, 0, C B i i （1）放大区：发射极正向偏置，集 电结反向偏置 C B i = i §2.1 三极管的结构和放大 U 输出特性曲线
§2.1三极管的结构和放大 3、三极管的基本参数 (1)电流放大系数β 2)极间反向电流(m、lim:iEo=(1+β)icBo (3)极限参数 ①集电极最大允许电流Io:β下降到额定值的2/3时所允许的最大 集电极电流。 ②反向击穿电压U()c0:基极开路时,集电极、发射极间的最大 允许电压。 ③集电极最大允许功耗PcM 14|返回
３、三极管的基本参数 （１）电流放大系数β： iC = β iB （２）极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO =（1+ β ）iCBO （３）极限参数 ①集电极最大允许电流 ICM：下降到额定值的2/3时所允许的最大 集电极电流。 ②反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大 允许电压。 ③集电极最大允许功耗PCM 。 §2.1 三极管的结构和放大 返回