《模拟电路》精品课程课件 第1章半导体二极管及其应用 §1.1PN结 §12半导体二极管 §13半导体二极管的基本应用 §14特殊二极管
《模拟电路》精品课程课件 第1章 半导体二极管及其应用 §1.1 PN结 §1.2 半导体二极管 §1.3 半导体二极管的基本应用 §1.4 特殊二极管
==L半显体三管及基盛 §1.1P N结 ●学习目标:1.熟悉P型、N型半导体的 基本结构及特性 2掌握PN结的单向导电性 ●学习重点:1.P型、N型半导体的形成 和电结构特点 2.ⅨN结的正向和反向导电 特性
§1.1 PN结 学习目标：1.熟悉P型、N型半导体的 基本结构及特性 2.掌握PN结的单向导电性 学习重点：1. P型、N型半导体的形成 和电结构特点 2. PN结的正向和反向导电 特性 第1章 半导体二极管及其应用
、半导体的基本知识 根据材料的导电能力,可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅S和锗Ge,它们都是4价元素。 硅和锗最外层轨道上的 硅原子 锗原子四个电子称为价电子
一、半导体的基本知识 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 si 硅原子 G e 锗原子 Ge +44 硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。 §1.1 PN结
二、本征半导体 本征半导体纯净的、不含其他杂质的半导体 +4 9·(+ 载流子电子 空穴 +)(+(+4 空穴 本征半导体的导电能力很弱, 由电 接近绝缘体。导电性取决于外加 +(+-+9 能量:温度变化,导电性变化; 光照变化,导电性变化。 本征半导体的共价键结构
§1.1 PN结 二、本征半导体 本征半导体——纯净的、不含其他杂质的半导体 本征半导体的共价键结构 本征半导体的导电能力很弱， 接近绝缘体。导电性取决于外加 能量：温度变化，导电性变化； 光照变化，导电性变化。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子 载流子 空穴
己己己己口己己己己己己己E 二、N型和P型半导体 自由电子 (一)N型半导体硅原子多余电子 形成: +4 N型半导 在本征半导 。(「@ 体中掺入微量五 价元素。 +4 +4 +4 磷原子 电子空穴对 施主离子 多数载流子-电子少数载流子一空穴
二、N型和P型半导体 形成： 在本征半导 体中掺入微量五 价元素。 §1.1 PN结 （一） N型半导体 多数载流子---电子 少数载流子--空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 硅原子 多余电子 磷原子 电子空穴对 自由电子 施主离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5
(二)P型半导体 硅原子 空穴 电子空穴对 空穴 形成 P型半导体 在本征半 日|eee 导体中掺入 +3 微量三价元 素 硼原子 受主离子 多数载流子一空穴少数载流子一电子
形成： 在本征半 导体中掺入 微量三价元 素。 §1.1 PN结 － － － － － － － － － － － － P型半导体 硅原子 空穴 硼原子 电子空穴对 空穴 受主离子 （二）P型半导体 多数载流子--空穴 少数载流子--电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3
二、PN结的形成 形成过程: P型和N型半导体结合 多子浓度差 P型半导体空间电荷区N型半导体 扩散运动 内电场建立 :·(·(· 耗尽层 阻碍扩散运动 少子漂移电流 多子扩散电流 促使漂移运动 动态平衡→形成空间电荷区—PN结形成
二、PN结的形成 形成过程： P型和N型半导体结合 扩散运动 内电场建立 阻碍扩散运动 促使漂移运动 动态平衡 形成空间电荷区 PN结形成 §1.1 PN结 空间电荷区 少子漂移电流 多子扩散电流 耗尽层 多子浓度差 P型半导体 N型半导体
空间电荷 三、RN结的单向导电性 区变窄 1、ⅨN结正向偏置 正偏—P区接 电源正极,N区接电 源负极。 内电场方 外电场方 向 PN结正偏时呈导通状态,正向电阻很小,正向电流很大
三、PN结的单向导电性 1、PN结正向偏置 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大。 §1.1 PN结 正偏——P区接 电源正极，N区接电 源负极。 空间电荷 区变窄 内电场方 向 外电场方 向
2、PN结反向偏置 空间电荷 区变宽 反偏—P区接 电源负极,N区接电 源正极。 内电场方 R 向 外电场方 PN结反偏时呈截止状态,反向电阻很大,反向电流很小
§1.1 PN结 2、PN结反向偏置 反偏——P区接 电源负极，N区接电 源正极。 PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。 空间电荷 区变宽 内电场方 向 外电场方 向
==L半显体三管及基盛 §1.2半导体二极管 学习目标:1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 学习重点:1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数
§1.2 半导体二极管 学习目标：1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 学习重点：1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数 第1章 半导体二极管及其应用
