第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 723CVD的方法 以沉积TiC为例,CVD法沉积TC时将工件置于 氩气保护下,加热到1000~1050℃,然后以氩气 业作载流气体把T4和CH4气带入炉内反应器中, 米使TCL中的钛与CH中的碳(以及钢件表面的碳) 化合,形成碳化钛。反应的副产物则被气流带出 室外。 科 学 与 程 学 10 况10 7.2.3 CVD的方法 以沉积TiC为例，CVD法沉积TiC时将工件置于 氩气保护下，加热到 1000～1050℃，然后以氩气 作载流气体把TiCl4和CH4气带入炉内反应器中， 使TiCl4中的钛与CH4中的碳（以及钢件表面的碳） 化合，形成碳化钛。反应的副产物则被气流带出 室外。 第七章 气相沉积技术