3、高斯定理的证明思路 高斯定理可从毕奥一萨伐尔定律严格证明,这里仅提供思路。如图5-18。 (1)首先考虑单个电流元团之场中 以l为轴线取一磁力线元管,其上磁场dB=llin0h处相等:再取任 意闭曲面S,若S与之交链,则一进一出,d=0;若S与之不交链,仍d=0 再展扩至整体S面上,得Φn=0。 (2)然后再考虑任意回路之总场是各电流元之场的叠加,因ld是任一电流 元,故对整体考虑,其结论不变 二、安培环路定理 1、研究:「Bd=? 2、特点:取积分回路L(称之为安培环路)沿B线,因B线闭合,且B与d 的夹角为零,而有「Bd≠0。 3、内容:5Bd=6∑1,其中右侧为穿过闭路L的电流之代数和,按右 手定则规定,参见图5-19。 L(正) 右手定则 L(负) 图5-19 、定理证明:该定理可由毕奥一萨伐尔定律证明,下面先看B.d,再计算 5Bd,最后再用叠加原理 如图5-20,L一安培环路,L一载流回路,作一负d位移后成L"′。5-3-2 3、高斯定理的证明思路 高斯定理可从毕奥-萨伐尔定律严格证明,这里仅提供思路。如图 5-18。 (1) 首先考虑单个电流元 Idl 之场中 以 Idl 为轴线取一磁力线元管,其上磁场 2 0 4 sin r Idl dB = 处处相等;再取任 意闭曲面 S,若 S 与之交链,则一进一出, dm = 0 ;若 S 与之不交链,仍 dm = 0 ; 再展扩至整体 S 面上,得 m = 0。 (2) 然后再考虑任意回路之总场是各电流元之场的叠加,因 Idl 是任一电流 元,故对整体考虑,其结论不变。 二、安培环路定理 1、研究: = L B dl ? 2、特点:取积分回路 L (称之为安培环路)沿 B 线,因 B 线闭合,且 B 与 dl 的夹角为零,而有 L B dl 0 。 3、内容: = ( ) 0 L内 L B dl I ,其中右侧为穿过闭路 L 的电流之代数和,按右 手定则规定,参见图 5-19。 图 5-19 4、定理证明:该定理可由毕奥-萨伐尔定律证明,下面先看 B dl ,再计算 L B dl ,最后再用叠加原理。 如图 5-20,L-安培环路, L -载流回路,作一负 dl 位移后成 L。 I I L(正) L(负) 右手定则 → →