负离子按简单立方堆积排列(CC型) 负高子按面心立方密堆积排列 组成为AB型的二元高子化合物晶体的常见堆积类型。负高子 遭—负高子搜面心立方密堆积排布,正高于放在八面 搜简单立力增积排列,正高子占据由负高子所构成的立力体空 空隙中盖个晶体由正负两种高子穿排列而成。正负高子配 中,个晶体由正负两种高子穿排列而成。正负高子足位都 位都是6,记作6:6,晶胞中正负高子各等于4 是8,记作8:8,晶胞中正负高子各等于1。 In reality clarity, only the centers of the ions are shown. Oppositely charged tact with the cs+ ion An alternative unit cell has ch at actually in contact. We can think of this structure as an fcc lattice center and cst at the corners Ch ions, with Na ions filling the octahedral holes. 立方Zns型—负高子饮面心立方密堆积排布,正离子则均匀 地填充在半的四面体空腺中,正负高子配位都是↓晶胞中正 AB型晶体中的比值计算 负高于数也各等于4 例如,NaC晶胞正八面体空除正 中的正高子能够换个负高子时最起 4(r++r}2=2(2r)2 r=0.414 ③=s2-=Zn2+ (a) Unit cell of ZnS 几种A型二元高子晶体 凰然高子晶体的稳定条件是求正、负高子尽可能相互换触, 盈温你画体实侧 配位败尽可能高,但这个条件受到正、负高子半径比的限制,即正 负高子半径比/是决定高子晶体绩构型式的量要因囊一般而言 1曾地立方cC■立方体88a73x1LcBm 对AB型高子晶体来说: =0.414-0.732,NaC型结构; >0.732 CsC型结构 Na遵八■体6:6 44|大多金洞 r<0.414, 由于阴离子相互更近,排斥力增大 易转变为配位散低的立方ZnS型结构 四国体 0.414MgTe,BeO,Bes 自然界中其它高子晶体类型还有很多:AB型晶体中还有六方 型,AB型中还有CF型,金红石TO2厘等:ABX型由 大多情况下,我列的高子体筒构追举径比氯则,常常可以道过 半轻比值的计算飘测旅整物款的构和配位数。当然也有例外惊况景于高子 aTiO2/钙钛矿型),CaO(方解石型等:AB2X型有Mg山2O尖 化等属因。此外,当外界条件变化时,高子晶体构型也金有所改变 晶石型,MgF2O反尖晶石型等 66 组成为AB型的二元离子化合物晶体的常见堆积类型。负离子 按简单立方堆积排列，正离子占据由负离子所构成的立方体空隙 中，整个晶体由正负两种离子穿插排列而成。正负离子配位数都 是8，记作8:8，晶胞中正负离子数各等于1。 ¾ 负离子按简单立方堆积排列 (CsCl型) The cesium chloride unit cell The Cs+ is in the center of the cube, with Cl− ions at the corners. In reality, each Cl− is in contact with the Cs+ ion. An alternative unit cell has Cl− at the center and Cs+ at the corners. 1) NaCl型 —— 负离子按面心立方密堆积排布，正离子放在八面 体空隙中，整个晶体由正负两种离子穿插排列而成。正负离子配 位数都是6，记作6:6，晶胞中正负离子数各等于4。 ¾ 负离子按面心立方密堆积排列 The sodium chloride unit cell For clarity, only the centers of the ions are shown. Oppositely charged ions are actually in contact. We can think of this structure as an fcc lattice of Cl− ions, with Na+ ions filling the octahedral holes. 2) 立方ZnS型 —— 负离子按面心立方密堆积排布，正离子则均匀 地填充在半数的四面体空隙中，正负离子配位数都是4，晶胞中正 负离子数也各等于4。 ƒ AB型晶体中r+/r- 的比值计算： 例如，NaCl型晶胞正八面体空隙正 中的正离子能够接触6个负离子时最起 码的大小。显然 r- r- r- r- + 4(r+ + r- )2 = 2(2r- )2 r+/r- = 0.414 ZnS, ZnO, HgS, MgTe, BeO, BeS 0.225- 0.414 四面体 4:4 立方ZnS 型 大多数碱金属卤 化物，某些碱土 金属氧化物，硫 化物(等) 0.414- 0.732 NaCl型 八面体 6:6 II 面心立方 密堆积 CaCl, CsBr, CsI, TlCl, NH4Cl CsCl型 立方体 8:8 0.732-1 I 简单立方 堆积 r+/r- 晶体实例 正负离子 配位数 正离子所 占间隙 离子晶体 类型 负离子堆积 方式 几种AB型二元离子晶体 大多数情况下，表中列举的离子晶体结构遵循半径比规则，常常可以通过 半径比值的计算预测某些物质的结构和配位数。当然也有例外情况，源于离子 极化等原因。此外，当外界条件变化时，离子晶体构型也会有所改变。 虽然离子晶体的稳定条件是要求正、负离子尽可能相互接触， 配位数尽可能高，但这个条件受到正、负离子半径比的限制，即正 负离子半径比r+/r- 是决定离子晶体结构型式的重要因素。一般而言， 对AB型离子晶体来说： r+/r- = 0.414 − 0.732， NaCl型结构； r+/r- > 0.732， CsCl型结构； r+/r- < 0.414， 由于阴离子相互更靠近，排斥力增大， 易转变为配位数低的立方ZnS型结构。 自然界中其它离子晶体类型还有很多：AB型晶体中还有六方 ZnS型；AB2型中还有CaF2型，金红石(TiO2)型等；ABX3型由 CaTiO3(钙钛矿型)，CaCO3(方解石型)等；AB2X4型有MgAl2O4(尖 晶石型)，MgFe2O4(反尖晶石型)等