52硅的气相外延 5-2-1硅外延生长用的原料 >对外延片的质量要求:电阻率及其均匀性、厚 度及其均匀性、位错和层错密度等。 >按照反应类型可分为氢气还原法和直接热分解 法 氢还原法,利用氢气还原产生的硅在基片上进行 外延生长。 直接热分解法,利用热分解得到Si6 5.2硅的气相外延 ➢对外延片的质量要求：电阻率及其均匀性、厚 度及其均匀性、位错和层错密度等。 ➢按照反应类型可分为氢气还原法和直接热分解 法。 氢还原法，利用氢气还原产生的硅在基片上进行 外延生长。 直接热分解法，利用热分解得到Si。 5－2－1硅外延生长用的原料