名称「衬底」外延层组成外延工艺外延介质 硅同质外延 气相外延(VPE) SiHCi:+H2 SiHg 蓝宝石或 硅异质外延 气相外廷(VPE) SiH+ H, 尖晶石 气相外延(PE) AsCI+ Ga + H2 (Ar) GaAs 砷化镓同质外延 GaAs MOCVD GaR3 AsH3+ H, 分子束外延(MBE a+ A GHAs 液相外延(LPE) Ga+GaAs+H2 GaAs GaAlas/GaAs/GaAA液相外延(LE) Ga+Al +GaAs +H 砷化镓异质外延 GaAs GaAsP 气相(ⅤPE) Ga+ AsH3+ PH3 +HCl+ H2 磷化惊向质外延 GaP( GaP: N) 液相外延(LPE Ga+GaP+H2+(NH3) 化惊异质外延 GaAsP 液相外延(LPE) Ga+GaAs+ GaP+ MH3 GBA【As/GaAs 分子束外延(MBE)「CB、As、A 超晶格 (周期) MOCVD GaR3+ AIR,+ AsH3 + H2 化铟向质外延 气相外延(VPE) PCl+ In+ H2 磷化铟异质外延⊥IP InGaAsP 液相外延(LP) In+ InAs GaAs+ InP+ H2 GaAs S/GaAs外延 分子束外延(MBE)}Ca、As GaAs MOCVD GaR3+ AsHa H25